LL60P

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JINANJINGHENG(晶恒)
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LL60P - SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES - Jinan Jingheng (Group) Co.,Ltd

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Ｒ LL60, LL60P SEMICONDUCTOR SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES S MALL SIGNAL CHOTTKY DIODES ０．０６３（１．６）０．０５５（１．４）０．０１９（０．４８）０．０１１（０．２８） FEATURES Metal-on-silicon junction, majority carrier conduction High current capability, Low forward voltage drop Extremely low reverse current IR Ultra speed switching characteristics Small temperature coefficient of forward characteristics Satisfactory Wave detection efficiency For use in RECORDER¡¢TV¡¢RADIO¡¢TELEPHONE as detectors,super high speed switching circuits, small current rectifier JF Mini-MELF ０．１４２（３．６）０．１３４（３．４） MECHANICAL DATA Case: MinMELF glass case (SOD- 80) Polarity:color band denotes cathode end Weight: Approx. 0.05gram Dimensions in inches and (millimeters) ABSOLUTE RATINGS(LIMITING VALUES) Symbols Parameters Repetitive Peak Reverse Voltage Forward Continuous Current Peak Forward Surge Current(t=1S) Storage and junction Temperature Range Maximum Lead Temperature for Soldering during 10S at 4mm from Case TA=25 C Value LL60 20 30 150 -65 to+125 230 LL60P 30 50 400 Units VRRM IF IFSM TSTG/TJ TL Volts mA mA C C ELECTRICAL CHARACTERISTICS Symbols Parameters Test Conditions IF=1mA LL60 LL60P LL60 LL60P LL60 LL60P LL60 LL60P Min . Value Typ . 0.35 0.26 0.70 0.70 1.0 5.0 4.0 Max 0.5 0.5 1.0 1.0 5.0 10.0 . Units VF IR CJ h trr RqJA Forward Voltage Reverse Current Junction Capacitance Detection Efficiency(See diagram 4) Reverse Recovery time Junction Ambient Thermal Resistance IF=30mA IF=200mA VR=15V VR=1V f=1MHz VR=10V f=1MHz Volts mA pF % 10.0 60 VI=3V f=30MHz CL=10pF RL=3.8kW IF=IR=1mA Irr=1mA Rc=100W 1 350 ns C/W R JA 2-1 JINAN JINGHENG CO., LTD. NO.51 HEPING ROAD PR CHINA TEL:86-531-6943657 FAX:86-531-6947096 WWW.JIFUSEMICON.COM R ATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES LL60 S MALL SIGNAL CHOTTKY DIODES VR(V) FIG.1-FORWARD CURRENT VERSUS FORWARD VOLTAGE (TYPICAL VALUES) FIG.2-REVERSE CURRENT VERSUS CONTINUOUS REVERSE VOLTAGE IF(mA) IR(UA) １００９０８０７０６０５０４０３０２０１０００．２０．４０．６０．８１．０ VF(V) １．４０１．２０１．０００．８００．６００．４００．２００５１０１５２０２５３０ FIG.3-JUNCTION CAPACITANCE VERSUS CONTINUOUS REVERSE APPLIED VOLTAGE C(pF) FIG.4-DETECTION EFFICIENCY MEASUREMENT CIRCUIT ４．０３．５３．０２．５２．０１．５１．００．５ output D.U.T. ~ ~ ~ Input:3VRMS CL 10pF RL 3.8kW ０１２３４５６ VR(V) 2-2 JINAN JINGHENG CO., LTD. NO.51 HEPING ROAD PR CHINA TEL:86-531-6943657 FAX:86-531-6947096 WWW.JIFUSEMICON.COM R ATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES LL60P S MALL SIGNAL CHOTTKY DIODES VR(V) FIG.1-FORWARD CURRENT VERSUS FORWARD VOLTAGE (TYPICAL VALUES) FIG.2-REVERSE CURRENT VERSUS CONTINUOUS REVERSE VOLTAGE IF(mA) ５００４５０４００３５０３００２５０２００１５０１００５０００．２０．４０．６０．８１．０ VF(V) IR( A) ０．７００．６００．５００．４００．３００．２００．１００５１０１５２０２５３０ FIG.3-JUNCTION CAPACITANCE VERSUS CONTINUOUS REVERSE APPLIED VOLTAGE C(pF) ２０１８１６１４１２１０８６ FIG.4-DETECTION EFFICIENCY MEASUREMENT CIRCUIT output D.U.T. ~ ~ ~ Input:3VRMS CL 10pF RL 3.8kW ０１２３４５６ VR(V) 2-3 JINAN JINGHENG CO., LTD. NO.51 HEPING ROAD PR CHINA TEL:86-531-6943657 FAX:86-531-6947096 WWW.JIFUSEMICON.COM

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LL60P

### 物料型号 - LL60：小型信号肖特基二极管。 - LL60P：与LL60类似，但具有不同的电气特性。

### 器件简介 LL60和LL60P是小型信号肖特基二极管，具有金属-硅结、多数载流子导电、高电流能力、低正向电压降、极低反向电流等特点。适用于高速开关电路、小电流整流等应用。

### 引脚分配 - 极性：色环表示阴极端。 - 封装：Mini-MELF玻璃封装（SOD-80）。

### 参数特性 - VRRM：重复峰值反向电压，LL60为20V，LL60P为30V。 - IF：正向连续电流，LL60在25°C时为30mA，LL60P为50mA。 - IFSM：正向峰值浪涌电流（1秒），LL60为150mA，LL60P为400mA。 - TSTG/TJ：存储和结温范围，-65至+125°C。 - TL：焊接时最大引脚温度，4mm距离外的封装，230°C。

### 功能详解 - 正向电压（VF）：在不同电流下，LL60和LL60P的正向电压范围。 - 反向电流（IR）：在15V反向电压下，LL60和LL60P的反向电流范围。 - 结电容（CJ）：在不同反向电压和频率下，LL60和LL60P的结电容值。 - 检测效率（n）：在特定条件下的检测效率。 - 反向恢复时间（trr）：在特定条件下的反向恢复时间。 - 结环境热阻（ROJA）：结到环境的热阻。

### 应用信息 适用于录音机、电视、收音机、电话等设备中的检测器、超高速开关电路、小电流整流。

### 封装信息 - 封装类型：Mini-MELF玻璃封装（SOD-80）。 - 重量：大约0.05克。

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