1. 物料型号：
- 型号为2N5157。
2. 器件简介：
- 2N5157是一款硅NPN功率晶体管，具有TO-3封装，高击穿电压，适用于开关稳压器、逆变器、电磁阀和继电器驱动器、电机控制等应用。
3. 引脚分配：
- 引脚1：基极（Base）
- 引脚2：发射极（Emitter）
- 引脚3：集电极（Collector）
4. 参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：700V
- 集电极-发射极电压（VCEO）：500V
- 发射极-基极电压（VEBO）：7V
- 集电极电流（Ic）：3.5A
- 总功率耗散（Pr）：100W
- 结温（T）：165°C
- 存储温度（Tstg）：-65至200°C
5. 功能详解：
- 该晶体管在25°C下工作，除非另有说明。
- 维持电压（VCEO(SUS)）：500V
- 饱和电压（VCEsat）：1.2V（在Ic=3A，Ib=0.5A条件下）
- 基极-发射极饱和电压（VBEsat）：1.5V
- 集电极截止电流（ICBO）：0.2μA至2.0μA（在VcB=700V，Ie=0，Tc=125°C条件下）
- 集电极截止电流（IcEO）：5.0μA（在VcE=500V，Ib=0条件下）
- 发射极截止电流（IEBO）：1.0mA（在VEB=7V，Ic=0条件下）
- 直流电流增益（hFE）：30至90（在Ic=1A，VcE=5V条件下）
- 转换频率（fT）：2.8MHz（在Ic=1A，Vce=10V，f=5.0MHz条件下）
6. 应用信息：
- 适用于开关稳压器、逆变器、电磁阀和继电器驱动器、电机控制等。
7. 封装信息：
- 封装类型为TO-3，具体尺寸见图2。
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