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2N5296

2N5296

  • 厂商:

    JMNIC

  • 封装:

  • 描述:

    2N5296 - Silicon NPN Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2N5296 数据手册
Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ・ With TO-220 package ・ ・High power dissipation APPLICATIONS ・Power amplifier and medium speed switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION 2N5294 2N5296 2N5298 Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2N5294 VCBO Collector-base voltage 2N5296 2N5298 2N5294 VCEO Collector-emitter voltage 2N5296 2N5298 VEBO IC IB PT Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Base current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 80 60 80 70 40 60 7 4 2 36 150 -65~150 V A A W ℃ ℃ V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance from junction to case MAX 3.47 UNIT ℃/W JMnic Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2N5294 VCEO(SUS) Collector-emitter sustioning voltage 2N5296 2N5298 2N5294 VCEsat Collector-emitter saturation voltage 2N5296 2N5298 2N5294 VBE Base-emitter on voltage 2N5296 2N5298 2N5294/5298 ICEV Collector cut-off current 2N5296 ICER Collector cut-off current 2N5294/5298 2N5294 IEBO Emitter cut-off current 2N5296/5298 2N5294 hFE DC current gain 2N5296 2N5298 fT Transition frequency 2N5294 ton Turn-on time 2N5296 2N5298 2N5294 toff Turn-off time 2N5296 2N5298 VEB=5V; IC=0 IC=0.1A ;IB=0 2N5294 2N5296 2N5298 CONDITIONS MIN 70 40 60 TYP. MAX UNIT V IC=0.5A;IB=0.05A IC=1.0A;IB=0.1A IC=1.5A;IB=0.15A IC=0.5A ; VCE=4V IC=1.0A ; VCE=4V IC=1.5A ; VCE=4V VCE=65V;VBE=1.5V TC=150℃ VCE=35V;VBE=1.5V TC=150℃ VCE=50V;RBE=100Ω TC=150℃ VEB=7V; IC=0 1.0 mA 1.1 1.3 1.5 0.5 3.0 2.0 5.0 0.5 2.0 V 1.0 V mA mA IC=0.5A ; VCE=4V 30 IC=1.0A ; VCE=4V IC=1.5A ; VCE=4V IC=0.2A ; VCE=4V IC=0.5A;IB=0.05A;VCC=30V IC=1.0A;IB=0.1A;VCC=30V IC=1.5A;IB=0.15A;VCC=30V IC=0.5A;IB=0.05A;VCC=30V IC=1.0A;IB=0.1A;VCC=30V IC=1.5A;IB=0.15A;VCC=30V 15 μs 5.0 μs 20 0.8 80 MHz 120 JMnic Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N5294 2N5296 2N5298 Fig.2 Outline dimensions(unindicated tolerance:±0.10 mm) JMnic
2N5296
1. 物料型号: - 2N5294 - 2N5296 - 2N5298

2. 器件简介: - 这些是硅NPN功率晶体管,采用TO-220封装,具有高功率耗散能力,适用于功率放大和中等速度开关应用。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极,连接到安装底座(Collector;connected to mounting base) - 3号引脚:发射极(Emitter)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值(在25°C下): - VCBO(集电极-基极电压):2N5294为80V,2N5296为60V,2N5298为80V - VCEO(集电极-发射极电压):2N5294为70V,2N5296为40V,2N5298为60V - VEBO(发射极-基极电压):7V - Ic(集电极电流):4A - Ib(基极电流):2A - PT(总功率耗散):36W - T(结温):150°C - Tstg(存储温度):-65至150°C - 热特性: - Rth jc(从结到外壳的热阻):3.47°C/W

5. 功能详解: - 包括了VCEO(sus)(集电极-发射极维持电压)、VCEsat(集电极-发射极饱和电压)、VBE(基极-发射极导通电压)、ICEV(集电极截止电流)、ICER(集电极截止电流)、IEBO(发射极截止电流)、hFE(直流电流增益)和fT(过渡频率)、ton(导通时间)和toff(关断时间)等参数的最小值、典型值和最大值。

6. 应用信息: - 适用于功率放大和中等速度开关应用。

7. 封装信息: - 提供了TO-220封装的外形尺寸图,未标注的公差为±0.10mm。
2N5296 价格&库存

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