2N5559

2N5559

  • 厂商:

    JMNIC

  • 封装:

  • 描述:

    2N5559 - Silicon NPN Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

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2N5559 数据手册
Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2N5559 DESCRIPTION ・With TO-3 package ・Excellent safe operating area APPLICATIONS ・For industrial and commercial equipment including high fidelity audio amplifiers, series and shunt regulators and power switches applications PINNING PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 150 120 7 10 15 100 150 -65~200 UNIT V V V A A W ℃ ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 1.5 UNIT ℃/W JMnic Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEO(SUS) VCEsat VBE ICEO ICEX IEBO hFE PARAMETER Collector-emitter sustaining voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain CONDITIONS IC=0.2A ;IB=0 IC=10A; IB=2A IC=10A ; VCE=4V VCE=140V; IB=0 VCE=120V; VBE(off)=1.5V TC=150℃ VEB=7V; IC=0 IC=5A ; VCE=5V 20 MIN 120 TYP. 2N5559 MAX UNIT V 5.0 5.7 5.0 2.0 10 2.0 60 V V mA mA mA JMnic Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N5559 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) JMnic
2N5559
1. 物料型号: - 型号为2N5559,是一种硅NPN功率晶体管。

2. 器件简介: - 2N5559采用TO-3封装,具有优秀的安全工作区域,适用于工业和商业设备,包括高保真音频放大器、系列和并联调节器以及电源开关应用。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:发射极(Emitter) - 3号引脚:集电极(Collector)

4. 参数特性: - 集电极-基极电压(VcBO):150V(开发射极) - 集电极-发射极电压(VCEO):120V(开基极) - 发射极-基极电压(VEBO):7V(开集电极) - 集电极电流(Ic):10A - 集电极峰值电流(ICM):15A - 集电极功率耗散(Pc):100W(Tc=25°C) - 结温(Tj):150°C - 存储温度(Tstg):-65°C至200°C

5. 功能详解: - 在25°C的结温下,2N5559的主要特性包括维持电压(VCEO(SUS))、饱和电压(VcEsat)、基极-发射极电压(VBE)、截止电流(ICEO、IcEx、IEBO)和直流电流增益(hFE)。

6. 应用信息: - 适用于工业和商业设备,包括高保真音频放大器、系列和并联调节器以及电源开关应用。

7. 封装信息: - 封装类型为TO-3,具体尺寸见图2(未提供具体尺寸数值)。
2N5559 价格&库存

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