1. 物料型号：
- 2N5597
- 2N5599
- 2N5601
- 2N5603
2. 器件简介：
- 这些是硅PNP功率晶体管，具有TO-66封装，优秀的安全工作区，以及低集电极-发射极饱和电压。
3. 引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：发射极（Emitter）
- 3号引脚：集电极（Collector）
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值：
- VcBO（集电极-基极电压）：2N5597为60V，2N5599/5601为80V，2N5603为100V。
- VCEO（集电极-发射极电压）：2N5597在开路发射极下为80V，2N5599/5601为100V，2N5603为120V。
- VEBO（发射极-基极电压）：开路集电极下为5V。
- Ic（集电极电流）：2A。
- Po（总功率耗散）：在Tc=25°C时为20W。
- Tj（结温）：150°C。
- Tstg（储存温度）：-65°C至150°C。
- 热特性：
- Rt j-c（结到外壳的热阻）：4.37°C/W。
5. 功能详解：
- 这些晶体管在25°C下的特性值，除非另有说明：
- VCEO（集电极-发射极维持电压）：2N5597为60V，2N5599/5601为80V，2N5603为100V。
- VCEsat（集电极-发射极饱和电压）：在Ic=1A，Ib=0.1A时为1.0V。
- VBE（基极-发射极导通电压）：在Io=1A，Vce=5V时为1.5V。
- ICBO（集电极截止电流）：在VcB=额定VcBo，Ie=0时为0.1mA。
- IcEO（集电极截止电流）：在VcE=额定VcEo，Ib=0时为1.0mA。
- IEBO（发射极截止电流）：在VEB=5V，Ic=0时为0.1mA。
- hFE（直流电流增益）：2N5597/5601在Ic=1A，Vce=5V时为70至200，2N5599/5603为30至90。
- fr（转换频率）：2N5597/5601在Ic=0.5A，Vce=10V时为60MHz，2N5599/5603为50MHz。
6. 应用信息：
- 适用于高频功率放大器、音频功率放大器和驱动器。
7. 封装信息：
- 提供了TO-66封装的简化外形图和符号，以及外形尺寸图。
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