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2N5621

2N5621

  • 厂商:

    JMNIC

  • 封装:

  • 描述:

    2N5621 - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2N5621 数据手册
Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors 2N5621 2N5623 2N5625 2N5627 DESCRIPTION ・With TO-3 package ・Excellent safe operating area ・Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS ・For audio and general-purpose applications PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL PARAMETER 2N5621 VCBO Collector-base voltage 2N5623/5625 2N5627 2N5621 VCEO Collector-emitter voltage 2N5623/5625 2N5627 VEBO IC PD Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 60 80 100 80 100 120 5 10 100 150 -65~200 V A W ℃ ℃ V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 1.5 UNIT ℃/W JMnic Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2N5621 VCEO Collector-emitter sustaining voltage 2N5623/5625 2N5627 VCEsat VBE ICBO IEBO Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current 2N5621/5625 hFE DC current gain 2N5623/5627 2N5621/5625 fT Transition frequency 2N5623/5627 2N5621 2N5623 2N5625 2N5627 CONDITIONS MIN 60 TYP. MAX UNIT IC=50mA ;IB=0 80 100 V IC=5A; IB=0.5A IC=5A ; VCE=5V VCB=Rated VCBO; IE=0 VEB=5V; IC=0 70 IC=5A ; VCE=5V 30 40 IC=1A ; VCE=12V 30 2.0 1.5 0.1 0.1 200 90 V V mA mA MHz JMnic Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N5621 2N5623 2N5625 2N5627 Fig.2 outline dimensions JMnic
2N5621
物料型号: - 2N5621 - 2N5623 - 2N5625 - 2N5627

器件简介: - 这些是硅PNP功率晶体管,具有TO-3封装。 - 它们拥有出色的安全工作区,低集电极-发射极饱和电压。

引脚分配: - 1: 基极(Base) - 2: 发射极(Emitter) - 3: 集电极(Collector)

参数特性: - 绝对最大额定值: - VcBO(集电极-基极电压):2N5621为60V,2N5623/5625为80V,2N5627为100V。 - VCEO(集电极-发射极电压):2N5621在开路发射极时为80V,2N5623/5625为100V,2N5627为120V。 - VEBO(发射极-基极电压):开路集电极时为5V。 - Ic(集电极电流):10A。 - Po(总功率耗散):在Tc=25°C时为100W。 - Tj(结温):150°C。 - Tstg(储存温度):-65~200°C。

- 热特性: - Rth jc(结到外壳的热阻):1.5°C/W。

- 特性(在Tj=25°C时,除非另有说明): - VCEO(集电极-发射极维持电压):2N5621为60V,2N5623/5625为80V,2N5627为100V。 - VCEsat(集电极-发射极饱和电压):在Ic=5A,Ib=0.5A时为2.0V。 - VBE(基极-发射极导通电压):1.5V。 - ICBO(集电极截止电流):0.1mA。 - IEBO(发射极截止电流):0.1mA。 - hFE(直流电流增益):2N5621/5625为70至200,2N5623/5627为30至90。 - fr(转换频率):2N5621/5625为40MHz,2N5623/5627为30MHz。

功能详解: - 这些晶体管适用于音频和通用应用。

应用信息: - 用于音频和一般用途的应用。

封装信息: - 提供了图2,显示了封装的外形尺寸,具体链接为:[Fig.2 outline dimensions](https://p3-flow-imagex-sign.byteimg.com/ocean-cloud-tos/pdf/757252e14cb2e4c60234fc1d96285c53_2_1200.jpg~tplv-a9rns2rl98-resize-crop:186:220:616:784:430:564.jpeg?rk3s=1567c5c4&x-expires=1769106260&x-signature=whXLb0OzkQKsqYkHf7LDkFq%2BN8Y%3D)。
2N5621 价格&库存

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