1. 物料型号：
- 2N5622、2N5624、2N5626、2N5628
2. 器件简介：
- 这些是硅NPN功率晶体管，具有TO-3封装，优秀的安全工作区，低集电极-发射极饱和电压。
3. 引脚分配：
- 引脚1：基极（Base）
- 引脚2：发射极（Emitter）
- 引脚3：集电极（Collector）
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值：
- VcBO（集电极-基极电压）：2N5622为60V，2N5624/5626为80V，2N5628为100V。
- VCEO（集电极-发射极电压）：2N5622为80V，2N5624/5626为100V，2N5628为120V。
- VEBO（发射极-基极电压）：5V。
- Ic（集电极电流）：10A。
- Po（总功率耗散）：100W（在Tc=25°C时）。
- Tj（结温）：150°C。
- Tstg（存储温度）：-65~200°C。
- 热特性：
- Rth jc（结到壳的热阻）：1.5°C/W。
- 特性（在Tj=25°C时，除非另有说明）：
- VCEO（集电极-发射极维持电压）：2N5622为60V，2N5624/5626为80V，2N5628为100V。
- VCEsat（集电极-发射极饱和电压）：2.0V。
- VBE（基极-发射极导通电压）：1.5V。
- IcBO（集电极截止电流）：0.1mA。
- IEBO（发射极截止电流）：0.1mA。
- hFE（直流电流增益）：2N5622/5626为70至200，2N5624/5628为30至90。
- fr（过渡频率）：2N5622/5626为40MHz，2N5624/5628为30MHz。
5. 功能详解：
- 这些晶体管适用于音频和通用应用。
6. 应用信息：
- 音频和通用应用。
7. 封装信息：
- 图2显示了TO-3封装的外形尺寸。
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