1. 物料型号：
- 2N5632
- 2N5633
- 2N5634
2. 器件简介：
- 描述了一种硅NPN功率晶体管，带有TO-3封装。
- 低集电极-发射极饱和电压。
- 适用于通用功率放大器和开关应用。
3. 引脚分配：
- 1: 基极（Base）
- 2: 发射极（Emitter）
- 3: 集电极（Collector）
4. 参数特性：
- 绝对最大额定值（Ta=25℃）：
- 2N5632: 集电极-基极电压VCBO 100V，集电极-发射极电压VCEO 100V。
- 2N5633: VCBO 120V，VCEO 120V。
- 2N5634: VCBO 140V，VCEO 140V。
- 发射极-基极电压VEBO（开集电极）7V。
- 集电极电流IC 10A。
- 总功率耗散PD（TC=25℃）150W。
- 结温Tj 150℃。
- 存储温度Tstg -65~200℃。
5. 功能详解：
- 热阻Rth j-c（结到外壳）1.1℃/W。
- 特性（Tj=25℃，除非另有说明）：
- VCEO(sus)：集电极-发射极维持电压。
- VcEsat-1和VcEsat-2：集电极-发射极饱和电压。
- VBEsat：基极-发射极饱和电压。
- VBE：基极-发射极导通电压。
- ICEO：集电极截止电流。
- IcEv：集电极截止电流（VBE(ot)=1.5V）。
- IEBO：发射极截止电流。
- hFE：直流电流增益。
- fr：过渡频率。
6. 应用信息：
- 通用功率放大器和开关应用。
7. 封装信息：
- 提供了TO-3封装的简化外形图和符号，以及外形尺寸图（未标明的公差：±0.10mm）。
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