2N5970

厂商：
JMNIC
封装：
描述：
2N5970 - Silicon NPN Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

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Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ・With TO-3 package ・Low-collector emitter saturation voltage APPLICATIONS ・Designed for general-purpose power amplifier and switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Emitter Collector DESCRIPTION 2N5970 Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB PD Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Total Power Dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE 80 60 5 15 30 5 150 150 -65~200 UNIT V V V A A A W ℃ ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 1.1 UNIT ℃/W JMnic Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2N5970 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEO(SUS) VCEsat-1 VCEsat-2 VBEsat ICEO ICEV ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 fT PARAMETER Collector-emitter sustioning voltage Collector-emitter saturation voltge Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Collector cut-off current Emitter cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency CONDITIONS IC=0.1A ;IB=0 IC=7A ;IB=0.7A IC=15A; IB=3.75A IC=15A; IB=3.75A VCE=30V; IB=0 VCE=80V; VBE(off)=1.5V TC=150℃ VCB=80V; IE=0 VEB=5V; IC=0 IC=5A ; VCE=1.5V IC=15A ; VCE=4V IC=1A;VCE=10V 20 4 4 MHz MIN 60 1.0 4.0 2.5 1.0 0.5 5.0 0.5 1.0 60 TYP. MAX UNIT V V V V mA mA mA mA JMnic Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N5970 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10mm) JMnic

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2N5970

物料型号： - 型号：2N5970

器件简介： - 2N5970是一款硅NPN功率晶体管，采用TO-3封装。 - 特点：低集电极发射极饱和电压。

引脚分配： - 引脚1：基极（Base） - 引脚2：发射极（Emitter） - 引脚3：集电极（Collector）

参数特性： - 绝对最大额定值： - VcBO（集电极-基极电压）：80V，开路发射极 - VCEO（集电极-发射极电压）：60V，开路基极 - VEBO（发射极-基极电压）：5V，开路集电极 - Ic（集电极电流）：15A - ICM（集电极峰值电流）：30A - IB（基极电流）：5A - Po（总功率耗散）：150W，Tc=25°C - Tj（结温）：150°C - Tstg（存储温度）：-65~200°C

- 热特性： - Rth jc（结到封装的热阻）：1.1°C/W

功能详解： - 工作温度Tj=25℃，除非另有说明。 - VCEO(SUS)：集电极-发射极饱和电压，Ic=0.1A;IB=0，典型值60V。 - VcEsat-1：集电极-发射极饱和电压，Ic=7A;IB=0.7A，典型值1.0V。 - VcEsat-2：集电极-发射极饱和电压，Ic=15A;IB=3.75A，典型值4.0V。 - VBEsat：基极-发射极饱和电压，典型值2.5V。 - ICEO：集电极截止电流，VcE=30V;I=0，典型值1.0mA。 - IcEV：集电极截止电流，VcE=80V;VBE(off)=1.5V Tc=150°C，范围0.5~5.0mA。 - ICBO：发射极截止电流，VcB=80V;IE=0，典型值0.5mA。 - IEBO：发射极截止电流，VEB=5V;Ic=0，典型值1.0mA。 - hFE-1：直流电流增益，Ic=5A;VcE=1.5V，范围20~60。 - hFE-2：直流电流增益，Ic=15A;VcE=4V，范围4。 - fr：转换频率，Ic=1A;VcE=10V，典型值4MHz。

应用信息： - 2N5970设计用于通用功率放大器和开关应用。

封装信息： - 封装类型：TO-3，附有简化外形图和符号。

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