物料型号：
- 型号为2N6102和2N6103，是NPN型功率晶体管。
器件简介：
- 这些是带有TO-220封装的硅NPN功率晶体管，适用于通用放大器和开关应用。
引脚分配：
- PIN 1: Base（基极）
- PIN 2: Collector;connected to mounting base（集电极；连接到安装底座）
- PIN 3: Emitter（发射极）
参数特性：
- 绝对最大额定值（Ta=25℃）：
- VCBO：Collector-base voltage（集电极-基极电压）45V
- VCEO：Collector-emitter voltage（集电极-发射极电压）45V
- VEBO：Emitter-base voltage（发射极-基极电压）8V
- Ic：Collector current（集电极电流）16A
- PT：Total power dissipation（总功率耗散）75W
- Tj：Junction temperature（结温）150°C
- Tstg：Storage temperature（存储温度）-65~150°C
- 热特性：
- Rthjc：Thermal resistance from junction to case（从结到外壳的热阻）1.67°C/W
功能详解：
- 特性表（Tj=25℃除非另有说明）：
- VCEO(SUS)：Collector-emitter sustioning voltage（集电极-发射极饱和电压）Ic=0.1A;Ib=0 45V
- VcEsat-1：Collector-emitter saturation voltage（集电极-发射极饱和电压）Ic=5A;Ib=0.5A 1.3V
- VcEsat-2：Collector-emitter saturation voltage（集电极-发射极饱和电压）Ic=15A;Ib=5A 3.5V
- VBE-1：Base-emitter on voltage（基极-发射极导通电压）1.3V
- VBE-2：Base-emitter on voltage（基极-发射极导通电压）Ic=15A;VcE=4V 3.5V
- ICBO：hgck Collector cut-off current（高截止集电极电流）VcB=Rated VcBo;Ie=0 Tc=150°C 0.5~2.0mA
- IEBO：Emitter cut-off current（发射极截止电流）VEB=8V;Ic=0 1.0mA
- hFE-1：DC current gain（直流电流增益）Ic=8A;VcE=4V 15~80
- hFE-2：DC current gain（直流电流增益）Ic=15A;VcE=4V 5~80
- fr：Transition frequency（过渡频率）Ic=1A;VcE=10V 0.8MHz
应用信息：
- 适用于通用放大和开关应用。
封装信息：
- 提供了TO-220C的简化外形和符号，以及未标注公差的外形尺寸图（±0.10mm）。
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