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创作活动
2N6227

2N6227

  • 厂商:

    JMNIC

  • 封装:

  • 描述:

    2N6227 - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2N6227 数据手册
Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors 2N6226 2N6227 2N6228 DESCRIPTION ・With TO-3 package ・Low collector saturation voltage ・Excellent safe operating area APPLICATIONS ・For high power audio;stepping motor and other linear applications PINNING PIN 1 2 3 Base Emitter Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL PARAMETER 2N6226 VCBO Collector-base voltage 2N6227 2N6228 2N6226 VCEO Collector-emitter voltage 2N6227 2N6228 VEBO IC PD Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 100 120 140 100 120 140 7 6 150 150 -65~200 V A W ℃ ℃ V V UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 0.92 UNIT ℃/W JMnic Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2N6226 VCEO Collector-emitter sustaining voltage 2N6227 2N6228 VCEsat VBE ICEO ICBO IEBO Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Collector cut-off current Emitter cut-off current 2N6226 hFE DC current gain 2N6227 2N6228 fT Transition frequency IC=0.5A ; VCE=4V IC=3A ; VCE=2V IC=4A; IB=0.4A IC=3A ; VCE=2V VCE=Rated VCEO; IB=0 VCB=Rated VCBO; IE=0 VEB=7V; IC=0 IC=0.2A ;IB=0 2N6226 2N6227 2N6228 CONDITIONS MIN 100 120 140 TYP. MAX UNIT V 1.2 1.8 5.0 1.0 0.1 25 20 15 1 100 80 60 V V mA mA mA MHz JMnic Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6226 2N6227 2N6228 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) JMnic
2N6227
1. 物料型号:文档中描述了三种型号的PNP型功率晶体管,分别为2N6226、2N6227和2N6228。

2. 器件简介: - 这些晶体管采用TO-3封装,具有低集电极饱和电压和优良的安全工作区。 - 适用于高保真音频放大、步进电机驱动等线性应用。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:发射极(Emitter) - 3号引脚:集电极(Collector)

4. 参数特性: - 集电极-基极电压(VcBO):2N6226为100V,2N6227为120V,2N6228为140V。 - 集电极-发射极电压(VCEO):2N6226为100V,2N6227为120V,2N6228为140V。 - 发射极-基极电压(VEBO):开集电极时为7V。 - 集电极电流(Ic):最大6A。 - 总功率耗散(Po):在25°C时为150W。 - 结温(T):最大150°C。 - 存储温度(Tstg):-65°C至200°C。

5. 功能详解: - 包括热阻(Rthj-c)为0.92°C/W。 - 2N6226、2N6227和2N6228在25°C下的参数还包括集电极-发射极维持电压(VCEO)、集电极-发射极饱和电压(VCEsat)、基极-发射极导通电压(VBE)、集电极截止电流(ICEO)、集电极截止电流(ICBO)和发射极截止电流(IEBO)。 - 直流电流增益(hFE)和过渡频率(fT)也有具体数值。

6. 应用信息:适用于高保真音频放大和步进电机等线性应用。

7. 封装信息:提供TO-3封装的外形图和尺寸,未标注的公差为±0.1mm。
2N6227 价格&库存

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