物料型号：
- 型号：2N6357
器件简介：
- 2N6357是一款硅NPN功率晶体管，具有TO-3封装，高直流电流增益，适用于通用放大器和低频开关应用。
引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：发射极（Emitter）
- 3号引脚：集电极（Collector）
参数特性：
- 集-基电压（VCBO）：80V（开发射极）
- 集-射电压（VCEO）：60V（开基极）
- 发-基电压（VEBO）：5V（开集电极）
- 集电极电流（Ic）：20A
- 基极电流（Ib）：0.5A
- 总功率耗散（PD）：150W（Tc=25°C）
- 结温（Tj）：200°C
- 存储温度（Tstg）：-65~200°C
功能详解：
- 该晶体管在25°C结温下的特性包括：
- 集-射击穿电压（V(BR)CEO）：60V（Ic=0.2A; Ib=0）
- 集-射饱和电压（VcEsat）：2.0V（Ic=10A; Ib=40mA）和4.0V（Ic=20A; Ib=1A）
- 发-基饱和电压（VBE sat）：4.0V（Ic=20A; Ib=1A）
- 发-基导通电压（VBE）：2.8V（Ic=10A; VcE=4V）
- 集电极截止电流（ICEO）：1.0mA（VcE=60V; Ib=0）
- 集-基截止电流（ICBO）：0.5mA（VcB=80V; IE=0）
- 发射极截止电流（IEBO）：5.0mA（VEB=5V）
- 直流电流增益（hFE）：500~5000（Ic=4A; VcE=5V）和100（Ic=20A; VcE=5V）
应用信息：
- 适用于通用放大器和低频开关应用。
封装信息：
- 封装类型：TO-3
- 封装图示：文档中提供了TO-3的简化外形图和符号，以及外形尺寸图。
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