2N6386

2N6386

  • 厂商:

    JMNIC

  • 封装:

  • 描述:

    2N6386 - Silicon NPN Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

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2N6386 数据手册
JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ・With TO-220C package ・Complement to type 2N6666/6667/6668 ・DARLINGTON ・High DC current gain ・Low collector saturation voltage APPLICATIONS ・Designed for general-purpose amplifier and low speed switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION 2N6386 2N6387 2N6388 Absolute maximum ratings(Tc=25℃) SYMBOL PARAMETER 2N6386 VCBO Collector-base voltage 2N6387 2N6388 2N6386 VCEO Collector-emitter voltage 2N6387 2N6388 VEBO IC Emitter-base voltage 2N6386 Collector current-DC 2N6387/6388 ICM IB PC Tj Tstg Collector current-Pulse Base current-DC Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ 10 15 0.25 65 150 -65~150 A A W ℃ ℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 40 60 80 40 60 80 5 8 A V V V UNIT JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2N6386 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N6387 2N6388 Collector-emitter saturation voltage 2N6386 2N6387/6388 2N6386 2N6387/6388 2N6386 2N6387/6388 2N6386 2N6387/6388 2N6386 ICBO Collector cut-off current 2N6387 2N6388 2N6386 ICEO Collector cut-off current 2N6387 2N6388 IEBO Emitter cut-off current 2N6386 hFE-1 DC current gain 2N6387/6388 2N6386 hFE-2 DC current gain 2N6387/6388 Cob Output capacitance IC=10A ; VCE=3V IC=5A ; VCE=3V IC=8A ; VCE=3V IC=3A ,IB=6mA IC=0.2A, IB=0 2N6386 2N6387 2N6388 CONDITIONS MIN 40 60 80 TYP. MAX UNIT V VCEsat-1 2.0 IC=5A ,IB=10mA IC=8A ,IB=80mA 3.0 IC=10A ,IB=100mA IC=3A ; VCE=3V 2.8 IC=5A ; VCE=3V IC=8A ; VCE=3V 4.5 IC=10A ; VCE=3V VCB=40V, VBE=-1.5V TC=125℃ VCB=60V, VBE=-1.5V TC=125℃ VCB=80V, VBE=-1.5V TC=125℃ VCE=40V, IB=0 VCE=60V, IB=0 VCE=80V, IB=0 VEB=5V; IC=0 IC=3A ; VCE=3V 1000 20000 5.0 1.0 0.3 3.0 0.3 3.0 0.3 3.0 V VCEsat-2 Collector-emitter saturation voltage V VBE-1 Base-emitter on voltage V VBE-2 Base-emitter on voltage V mA mA mA 100 IE=0 ; VCB=10V,f=0.1MHz 200 pF THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 1.92 UNIT ℃/W 2 JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6386 2N6387 2N6388 Fig.2 Outline dimensions 3
2N6386
1. 物料型号: - 2N6386、2N6387、2N6388是硅NPN功率晶体管。

2. 器件简介: - 这些晶体管采用TO-220C封装,是2N6666/6667/6668的互补型号,具有达林顿结构,高直流电流增益和低集电极饱和电压。

3. 引脚分配: - 1号引脚为基极(Base)。 - 2号引脚为连接到安装底的集电极(Collector)。 - 3号引脚为发射极(Emitter)。

4. 参数特性: - 绝对最大额定值(在25℃下):2N6386为40V,2N6387为60V,2N6388为80V。 - 集电极-发射极电压(VCEO)、集电极-基极电压(VCBO)、发射极-基极电压(VEBO)等参数根据不同型号有不同的值。 - 直流集电极电流(IC)、脉冲集电极电流(ICM)、基极直流电流(IB)等电流参数也随型号而异。 - 集电极功耗(PC)在25℃下为65W。

5. 功能详解: - 这些晶体管设计用于通用放大器和低速开关应用。 - 提供了详细的电气特性表,包括集电极-发射极维持电压(VCEO(SUS))、集电极-发射极饱和电压(VcEsal-1, VcEsat-2)、基极-发射极导通电压(VBE-1, VBE-2)、集电极截止电流(IcBO, ICEO)、发射极截止电流(IEBO)、直流电流增益(hFE-1, hFE-2)和输出电容(Cob)。

6. 应用信息: - 适用于通用放大和低速开关应用。

7. 封装信息: - 提供了TO-220C封装的简化外形图和符号,以及外形尺寸图。
2N6386 价格&库存

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