2N6576

厂商：
JMNIC
封装：
描述：
2N6576 - Silicon NPN Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

数据手册：

下载2N6576.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

2N6576 数据手册

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ・With TO-3 package ・DARLINGTON ・High DC current gain APPLICATIONS ・Power switching ・Audio amplifiers ・Hammer drivers ・Series and shunt regulators PINNING PIN 1 2 3 Base Emitter Collector DESCRIPTION 2N6576 2N6577 2N6578 Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL PARAMETER 2N6576 VCBO Collector-base voltage 2N6577 2N6578 2N6576 VCEO Collector-emitter voltage 2N6577 2N6578 VEBO IC ICM IB PD Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Total Power Dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE 60 90 120 60 90 120 7 15 30 0.25 120 200 -65~200 V A A A W ℃ ℃ V V UNIT JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6576 2N6577 2N6578 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2N6576 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N6577 2N6578 VCEsat-1 VCEsat-2 VBE sat-1 VBE sat-2 Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage 2N6576 ICEO Collector cut-off current 2N6577 2N6578 2N6576 ICBO Collector cut-off current 2N6577 2N6578 IEBO hFE-1 hFE-2 hFE-3 hFE-4 VF Emitter cut-off current DC current gain DC current gain DC current gain DC current gain Diode forward voltage IC=10A; IB=100mA IC=15A ;IB=150mA IC=10A; IB=100mA IC=15A ;IB=150mA VCE=60V; IB=0 VCE=90V; IB=0 VCE=120V; IB=0 VCB=60V; IE=0 VCB=90V; IE=0 VCB=120V; IE=0 VEB=7V; IC=0 IC=0.4A ; VCE=3V IC=4A ; VCE=3V IC=10A ; VCE=3V IC=15A ; VCE=4V IF=15A 200 2000 500 100 4.5 A 20000 5000 7.5 mA 0.5 mA 1.0 mA IC=0.2A ;IB=0 CONDITIONS MIN 60 90 120 2.8 4.0 3.5 4.5 V V V V V TYP. MAX UNIT THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-c PARAMETER Thermal resistance junction to case VALUE 1.46 UNIT ℃/W 2 JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2N6576 2N6577 2N6578 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10mm) 3

下载 PDF

2N6576

1. 物料型号： - 2N6576、2N6577、2N6578，这些是硅NPN功率晶体管的型号。

2. 器件简介： - 这些晶体管具有高直流电流增益，并采用TO-3封装。适用于功率开关、音频放大器、锤击驱动器、串联和并联稳压器。

3. 引脚分配： - 引脚1：基极（Base） - 引脚2：发射极（Emitter） - 引脚3：集电极（Collector）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值包括集电极-基极电压（VCBO）、集电极-发射极电压（VCEO）、发射极-基极电压（VEBO）、集电极电流（Ic）、集电极峰值电流（ICM）和基极电流（lB）。此外，还有总功率耗散（PD）、结温（Tj）和储存温度（Tstg）。

5. 功能详解： - 包括维持电压（VCEO(SUS)）、饱和电压（VCEsat）、饱和基极-发射极电压（VBE sat）、截止集电极电流（ICEO、ICBO）、截止发射极电流（IEBO）和直流电流增益（hFE）等参数。

6. 应用信息： - 这些晶体管可用于功率开关、音频放大器、锤击驱动器和串联并联稳压器。

7. 封装信息： - 提供了TO-3封装的简化外形图和符号，以及外形尺寸图，未注明的公差为±0.10mm。

2N6576 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“2N6576”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货