2SA1021

厂商：
JMNIC
封装：
描述：
2SA1021 - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

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JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1021 DESCRIPTION ・With TO-126 package ・High breakdown voltage ・Large current capacity APPLICATIONS ・For color TV sound output;converters Inverters applications PINNING PIN 1 2 3 Emitter Collector;connected to mounting base Base DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-Peak Ta=25℃ PC Collector power dissipation TC=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 20 150 -55~150 ℃ ℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -150 -150 -6 -1.5 -2.5 1.0 W UNIT V V V A A JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE fT PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-base breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency CONDITIONS IC=-1mA; RBE=∞ IC=-10μA; IE=0 IE=-10μA ; IC=0 IC=-500mA; IB=-50mA IC=-500mA; IB=-50mA VCB=-120V; IE=0 VEB=-4V; IC=0 IC=-150mA ; VCE=-5V IC=-50mA ; VCE=-10V 60 15 MIN 2SA1021 TYP. -150 -150 -6 MAX UNIT V V V -0.5 -1.2 -1.0 -1.0 320 V V μA μA MHz 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA1021 Fig.2 Outline dimensions 3

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2SA1021

1. 物料型号： - 型号为2SA1021，是一款硅PNP功率晶体管。

2. 器件简介： - 该晶体管具有高击穿电压和大电流容量，采用TO-126封装。 - 适用于彩色电视声音输出、变频器和逆变器应用。

3. 引脚分配： - 1号引脚：发射极（Emitter） - 2号引脚：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base） - 3号引脚：基极（Base）

4. 参数特性： - 集-基电压（VCBO）：-150V，开发射极 - 集-射电压（VCEO）：-150V，开基极 - 发-基电压（VEBO）：-6V，开集电极 - 集电极电流（Ic）：-1.5A - 集电极峰值电流（ICM）：-2.5A - 集电极功率耗散（Pc）：1.0W（Ta=25°C时）/ 20W（Tc=25°C时） - 结温（T）：150°C - 存储温度（Tstg）：-55~150°C

5. 功能详解： - 该晶体管在25°C下工作，除非另有说明。 - 集-射击穿电压（V(BR)CEO）：-150V，Ic=-1mA; RBe=∞ - 集-基击穿电压（V(BR)CBO）：-150V，Ic=-10μA; Ie=0 - 发-基击穿电压（V(BR)EBO）：-6V，Ie=-10μA; Ic=0 - 集-射饱和电压（VcEsat）：-0.5V，Ic=-500mA; Ie=-50mA - 发-基饱和电压（VBEsat）：-1.2V，Ic=-500mA; Ie=-50mA - 集电极截止电流（ICBO）：-1.0μA，VcB=-120V; Ie=0 - 发射极截止电流（IEBO）：-1.0μA，VEB=-4V; Ic=0 - 直流电流增益（hFE）：60至320，Ic=-150mA; VCE=-5V - 转换频率（fr）：15MHz，Ic=-50mA; VcE=-10V

6. 应用信息： - 适用于彩色电视声音输出、变频器和逆变器应用。

7. 封装信息： - 该晶体管采用TO-126封装，具体尺寸如图2所示。

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