2SA1079

厂商：
JMNIC
封装：
描述：
2SA1079 - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

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JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1079 DESCRIPTION ・With TO-220 package ・High transition frequency ・Excellent safe operating area APPLICATIONS ・High-frequency power amplifier ・Audio power amplifiers and drivers PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -160 -160 -5 -2 25 150 -65~150 UNIT V V V A W ℃ ℃ JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO VCEsat VBE ICBO ICEO IEBO hFE-1 hFE-2 fT COB PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-base breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency Output capacitance CONDITIONS IC=-1mA ,RBE=∞ IC=-1μA ,IE=0 IE=-1μA ,IC=0 IC=-0.7A; IB=-70mA IC=-0.7A ; VCE=-5V VCB=-160V; IE=0 VCE=-160V; IB=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-0.3A ; VCE=-5V IC=-0.7A ; VCE=-5V IC=-0.5A ; VCE=-10V;f=10MHz IE=0 ; VCB=-20V;f=1MHz 100 50 120 100 MIN -160 -160 -5 -0.45 -0.8 TYP. 2SA1079 MAX UNIT V V V -1.0 -1.7 -1 -100 -1 350 V V μA μA μA MHz pF 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA1079 Fig.2 Outline dimensions(unindicated tolerance:±0.10 mm) 3

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2SA1079

1. 物料型号：2SA1079，这是一个硅PNP功率晶体管的型号。

2. 器件简介： - 采用TO-220封装。 - 具有高转换频率。 - 拥有出色的安全工作区。

3. 引脚分配： - 1号引脚：发射极（Emitter）。 - 2号引脚：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base）。 - 3号引脚：基极（Base）。

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：-160V，开路发射极。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：-160V，开路基极。 - 发射极-基极电压（VEBO）：-5V，开路集电极。 - 集电极电流（Ic）：-2A。 - 集电极功耗（Pc）：25W，Tc=25°C。 - 结温（Tj）：150°C。 - 存储温度（Tstg）：-65~150°C。

5. 功能详解： - 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：-160V，Ic=-1mA, RBE=0Ω。 - 集电极-基极击穿电压（V(BR)CBO）：-160V，Ic=-1uA, IE=0。 - 发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO）：-5V，IE=-1A, IC=0。 - 集电极-发射极饱和电压（VCEsat）：-0.45~-1.0V，Ic=-0.7A; IB=-70mA。 - 基极-发射极导通电压（VBE）：-0.8~-1.7V，Ic=-0.7A; VCE=-5V。 - 集电极截止电流（IcBO）：-1A，VcB=-160V; I=0。 - 集电极截止电流（ICEO）：-100uA，VcE=-160V; IB=0。 - 发射极截止电流（IEBO）：-1A，VEB=-5V; Ic=0。 - 直流电流增益（hFE-1）：100~350，Ic=-0.3A; VcE=-5V。 - 直流电流增益（hFE-2）：50，Ic=-0.7A; VCE=-5V。 - 转换频率（fr）：120MHz，Ic=-0.5A; VcE=-10V; f=10MHz。 - 输出电容（COB）：100pF，Ic=0; VcB=-20V; f=1MHz。

6. 应用信息： - 高频功率放大器。 - 音频功率放大器和驱动器。

7. 封装信息：TO-220封装，具体尺寸见图2，未标注的公差为±0.10mm。

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