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2SA1102

2SA1102

  • 厂商:

    JMNIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SA1102 - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SA1102 数据手册
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1102 DESCRIPTION ・With TO-3PN package ・Complement to type 2SC2577 ・High current capability ・High power dissipation APPLICATIONS ・Audio power amplifer applications ・DC-DC converters PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -80 -80 -6 -6 60 150 -55~150 UNIT V V V A W ℃ ℃ JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. 2SA1102 MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-25mA ;IB=0 -80 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-3A; IB=-0.3A -1.5 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=-3A; IB=-0.3A -1.8 V ICBO Collector cut-off current VCB=-80V; IE=0 -100 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=-6V; IC=0 -100 μA hFE DC current gain IC=-2A ; VCE=4V 50 fT Transition frequency IE=1A ; VCE=-12V 20 MHz 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA1102 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3
2SA1102
1. 物料型号:2SA1102

2. 器件简介: - 2SA1102是一种PNP硅功率晶体管,具有TO-3PN封装,与2SC2577型号相匹配。 - 特点包括高电流能力和高功耗。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:安装底(mounting base),连接到集电极(Collector) - 3号引脚:发射极(Emitter)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值: - VCEO(集电极-发射极电压):-80V - VCBO(集电极-基极电压):-80V - VEBO(发射极-基极电压):-6V - IC(集电极电流):-6A - PC(集电极功耗):60W(在25℃时) - Tj(结温):150℃ - Tstg(存储温度):-55~150℃ - 电气特性(在Tj=25℃下,除非另有说明): - V(BR)CEO(集电极-发射极击穿电压):-80V - VcEsat(集电极-发射极饱和电压):-1.5V(在Ic=-3A;IB=-0.3A时) - VBEsat(基极-发射极饱和电压):-1.8V(在Ic=-3A;IB=-0.3A时) - ICBO(集电极截止电流):-100μA(在VcB=-80V;IE=0时) - IEBO(发射极截止电流):-100μA(在VEB=-6V;Ic=0时) - hFE(直流电流增益):50(在Ic=-2A;VcE=4V时) - fT(过渡频率):20MHz(在Ic=1A;VcE=-12V时)

5. 功能详解: - 2SA1102适用于音频功率放大器应用和DC-DC转换器。

6. 应用信息: - 音频功率放大器应用 - DC-DC转换器

7. 封装信息: - 封装类型为TO-3PN,具体尺寸和公差未在文档中详细说明,但通常这种封装适用于高功率应用。
2SA1102 价格&库存

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