0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
2SA1103

2SA1103

  • 厂商:

    JMNIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SA1103 - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SA1103 数据手册
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1103 DESCRIPTION ・With TO-3PN package ・Complement to type 2SC2578 ・High current capability ・High power dissipation APPLICATIONS ・Audio power amplifer applications ・DC-DC converters PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -100 -100 -6 -7 70 150 -55~150 UNIT V V V A W ℃ ℃ JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. 2SA1103 MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-25mA ;IB=0 -100 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-3A; IB=-0.3A -1.5 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=-3A; IB=-0.3A -1.8 V ICBO Collector cut-off current VCB=-100V; IE=0 -100 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=-6V; IC=0 -100 μA hFE DC current gain IC=-3A ; VCE=4V 50 180 fT Transition frequency IE=1A ; VCE=-12V 20 MHz 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA1103 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3
2SA1103
1. 物料型号:2SA1103

2. 器件简介: - 该器件是硅PNP功率晶体管。 - 与2SC2578型号相补充。 - 具有高电流能力和高功耗能力。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极,连接到安装底(Collector;connected to mounting base) - 3号引脚:发射极(Emitter)

4. 参数特性: - 集-基极电压(VCBO):-100V(开发射极) - 集-发射极电压(VCEO):-100V(开基极) - 发-基极电压(VEBO):-6V(开集电极) - 集电极电流(Ic):-7A - 集电极功耗(Pc):70W(Tc=25°C) - 结温(T):150°C - 存储温度(Tstg):-55~150°C

5. 功能详解: - 除非另有规定,否则Tj=25℃。 - 集-发射极击穿电压(V(BR)CEO):-100V(Ic=-25mA;IB=0) - 集-发射极饱和电压(VCEsat):-1.5V(Ic=-3A;IB=-0.3A) - 基-发射极饱和电压(VBEsat):-1.8V(Ic=-3A;IB=-0.3A) - 集电极截止电流(IcBO):-100A(VcB=-100V;IE=0) - 发射极截止电流(IEBO):-100A(VEB=-6V;Ic=0) - 直流电流增益(hFE):50至180(Ic=-3A;VcE=4V) - 过渡频率(fr):20MHz(Ic=1A;VcE=-12V)

6. 应用信息: - 音频功率放大器应用。 - DC-DC转换器。

7. 封装信息: - 图2显示了TO-3PN封装的外形尺寸,未标注的公差为±0.1mm。
2SA1103 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“2SA1103”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货