2SA1107

厂商：
JMNIC
封装：
描述：
2SA1107 - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

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JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1107 DESCRIPTION ・With MT-200 package ・High power dissipations APPLICATIONS ・Audio and general purpose applications PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (MT-200) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -150 -150 -5 -10 120 150 -55~150 UNIT V V V A W ℃ ℃ JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. 2SA1107 MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-25mA ; IB=0 -150 V V(BR)EBO VCEsat Emitter-base breakdown voltage IE=-1mA ; IC=0 IC=-5A ;IB=-0.5A -5 V Collector-emitter saturation voltage -2.0 V VBE Base-emitter on voltage IC=-5A ; VCE=-5V -2.0 V μA μA ICBO Collector cut-off current VCB=-140V; IE=0 -10 IEBO Emitter cut-off current VEB=-5V; IC=0 -10 hFE-1 DC current gain IC=-1A ; VCE=-5V 55 160 hFE-2 fT DC current gain IC=-5A ; VCE=-5V IC=-0.5A ; VCE=-10V 35 Transition frequency 50 MHz 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA1107 Fig.2 outline dimensions 3

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2SA1107

1. 物料型号：2SA1107，这是JMnic Silicon生产的PNP功率晶体管。

2. 器件简介：该晶体管采用MT-200封装，具有高功率耗散能力，适用于音频和一般用途的应用。

3. 引脚分配： - 引脚1：基极（Base） - 引脚2：集电极，连接到安装底座（Collector;connected to mounting base） - 引脚3：发射极（Emitter）

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：-150V，开路发射极 - 集电极-发射极电压（VCEO）：-150V，开路基极 - 发射极-基极电压（VEBO）：-5V，开路集电极 - 集电极电流（Ic）：-10A - 集电极功率耗散（Pc）：120W，Tc=25°C - 结温（T）：150°C - 存储温度（Tstg）：-55~150°C

5. 功能详解： - 击穿电压（V(BR)CEO）：-150V，Ic=-25mA;Ib=0 - 发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO）：-5V，Ie=-1mA;Ic=0 - 饱和压降（VcEsat）：-2.0V，Ic=-5A;Ib=-0.5A - 基极-发射极电压（VBE）：-2.0V，Ic=-5A;VcE=-5V - 集电极截止电流（ICBO）：-10uA，VcB=-140V;Ie=0 - 发射极截止电流（IEBO）：-10uA，VEB=-5V;Ic=0 - 直流电流增益（hFE-1）：55~160，Ic=-1A;VcE=-5V - 直流电流增益（hFE-2）：35~，Ic=-5A;VcE=-5V - 过渡频率（fr）：50MHz，Ic=-0.5A;VcE=-10V

6. 应用信息：适用于音频和一般用途的应用。

7. 封装信息：MT-200封装，具体尺寸见图2。

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