2SA1108

厂商：
JMNIC
封装：
描述：
2SA1108 - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

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JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1108 DESCRIPTION ・With MT-200 package ・High power dissipation APPLICATIONS ・For power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (MT-200) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -130 -130 -5 -12 -1.2 120 150 -55~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. 2SA1108 MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-25mA ; IB=0 -130 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=-1mA ; IC=0 -5 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-5A ;IB=-0.5A -2.0 V VBE Base-emitter on voltage IC=-5A ; VCE=-5V -2.0 V μA μA ICBO Collector cut-off current VCB=-130V; IE=0 -5 IEBO Emitter cut-off current VEB=-5V; IC=0 -5 hFE-1 DC current gain IC=-2A ; VCE=-5V 55 160 hFE-2 DC current gain IC=-5A ; VCE=-5V 35 fT Transition frequency IC=-1A ; VCE=-10V 60 MHz 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA1108 Fig.2 outline dimensions 3

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2SA1108

1. 物料型号：2SA1108，是一款硅PNP功率晶体管。

2. 器件简介： - 封装类型为MT-200。 - 具有高功率耗散能力。 - 适用于功率放大器应用。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base）。 - 2号引脚：集电极，连接到安装底（Collector; connected to mounting base）。 - 3号引脚：发射极（Emitter）。

4. 参数特性： - 集-基极电压（VCBO）：-130V，开路发射极。 - 集-发射极电压（VCEO）：-130V，开路基极。 - 发-基极电压（VEBO）：-5V，开路集电极。 - 集电极电流（Ic）：-12A。 - 基极电流（Ib）：-1.2A。 - 集电极功率耗散（Pc）：120W，Tc=25°C。 - 结温（Tj）：150°C。 - 存储温度（Tstg）：-55~150°C。

5. 功能详解： - 集-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：IC=-25mA；IB=0时为-130V。 - 发-基极击穿电压（V(BR)EBO）：IE=-1mA；IC=0时为-5V。 - 集-发射极饱和电压（VCEsat）：IC=-5A；IB=-0.5A时为-2.0V。 - 基-发射极导通电压（VBE）：IC=-5A；VCE=-5V时为-2.0V。 - 集电极截止电流（ICBO）：VCB=-130V; IE=0时为-5μA。 - 发射极截止电流（IEBO）：VEB=-5V; IC=0时为-5μA。 - 直流电流增益（hFE-1）：IC=-2A；VCE=-5V时为55至160。 - 直流电流增益（hFE-2）：IC=-5A；VCE=-5V时为35。 - 过渡频率（fT）：IC=-1A；VCE=-10V时为60MHz。

6. 应用信息：适用于功率放大器应用。

7. 封装信息：提供了MT-200封装的外形尺寸图，具体尺寸和细节见图2。

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