物料型号：
- 型号为2SA1117。
器件简介：
- 2SA1117是一款硅PNP功率晶体管，具有TO-3封装，适用于高功率耗散。
引脚分配：
- 引脚1：基极（Base）
- 引脚2：发射极（Emitter）
- 引脚3：集电极（Collector）
参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：-200V，开路发射极。
- 集电极-发射极电压（VCEO）：-200V，开路基极。
- 发射极-基极电压（VEBO）：-6V，开路集电极。
- 集电极电流（Ic）：-17A。
- 基极电流（Ib）：-5A。
- 集电极功率耗散（Pc）：200W，Tc=25°C。
- 结温（Tj）：150°C。
- 存储温度（Tstg）：-65~150°C。
功能详解：
- 该晶体管在Tj=25℃下的特性如下：
- 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：-200V，Ic=-50mA；Ib=0。
- 发射极-基极击穿电压（V(BR)EBO）：-6V，Ic=-1mA；Ic=0。
- 集电极-发射极饱和电压（VcEsat）：-2.0V，Ic=-5A；Ib=-0.5A。
- 集电极截止电流（ICBO）：-0.1mA，Vc=-200V；Ie=0。
- 发射极截止电流（IEBO）：-0.1mA，Veb=-6V；Ic=0。
- 直流电流增益（hFE）：20，Ic=-8A；Vce=-4V。
- 转换频率（fr）：20MHz，Ic=-0.5A；Vce=-12V。
应用信息：
- 适用于功率开关、放大器和一般用途的应用。
封装信息：
- 封装类型为TO-3，具体尺寸见图2，未标注的公差为±0.1mm。
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