2SA1166

厂商：
JMNIC
封装：
描述：
2SA1166 - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

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JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1166 DESCRIPTION ・With MT-200 package ・High power dissipation APPLICATIONS ・Audio and general purpose applications PINNING (see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (MT-200) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -150 -150 -6 -15 -5 150 150 -55~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. 2SA1166 MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-25mA ; IB=0 -150 V V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=-1mA ; IE=0 -150 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=-1mA ; IC=0 -6 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-5A ;IB=-0.5A -2.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=-5A ;IB=-0.5A -2.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=-150V; IE=0 -10 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=-6V; IC=0 -10 μA hFE DC current gain IC=-5A ; VCE=-4V 50 fT Transition frequency IC=-1A ; VCE=-10V 60 MHz 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA1166 Fig.2 outline dimensions 3

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2SA1166

### 物料型号 - 型号：2SA1166

### 器件简介 - 描述：该器件是一个硅PNP功率晶体管，具有MT-200封装，高功率耗散能力。 - 应用：适用于音频和一般用途的应用。

### 引脚分配 - 引脚1：基极（Base） - 引脚2：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base） - 引脚3：发射极（Emitter）

### 参数特性 - 绝对最大额定值： - 集-基电压（VCBO）：-150V - 集-发电压（VCEO）：-150V - 发-基电压（VEBO）：-6V - 集电极电流（Ic）：-15A - 基极电流（Is）：-5A - 集电极功耗（Pc）：150W（在Tc=25°C时） - 结温（T）：150°C - 存储温度（Tstg）：-55~150°C

### 功能详解 - 特性： - 集-发击穿电压（V(BR)CEO）：-150V - 集-基击穿电压（V(BR)CBO）：-150V - 发-基击穿电压（V(BR)EBO）：-6V - 集-发饱和电压（VcEsat）：-2.0V（在Ic=-5A; IB=-0.5A时） - 发-基饱和电压（VBEsat）：-2.5V（在Ic=-5A; IB=-0.5A时） - 集电极截止电流（ICBO）：-10A（在VcB=-150V; I=0时） - 发射极截止电流（IEBO）：-10A（在VEB=-6V; Ic=0时） - 直流电流增益（hFE）：50（在Ic=-5A; VcE=-4V时） - 转换频率（fT）：60MHz（在Ic=-1A; VcE=-10V时）

### 应用信息 - 应用领域：音频和一般用途。

### 封装信息 - 封装类型：MT-200

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