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2SA1195

2SA1195

  • 厂商:

    JMNIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SA1195 - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SA1195 数据手册
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1195 DESCRIPTION ・With TO-202 package ・High power dissipation ・Complement to type 2SC2483 APPLICATIONS ・For high voltage and general purpose amplification PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-202) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Ta=25℃ PC Collector power dissipation TC=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 15 175 -55~150 ℃ ℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -160 -160 -6 -1.5 -0.5 2 W UNIT V V V A A JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN 2SA1195 TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-10mA; IB=0 160 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-500mA ;IB=-50m A -1.0 V VBE Base-emitter on voltage IC=-5mA ; VCE=-5V -0.7 V hFE-1 DC current gain IC=-200mA ; VCE=-5V 60 200 hFE-2 DC current gain IC=-500mA ; VCE=-5V 40 ICBO Collector cut-off current VCB=-150V; IE=0 -1 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=-6V; IC=0 -1 μA COB Output capacitance IE=0; VCB=-10V;f=1MHz 35 pF fT Transition frequency IE=-100mA ; VCB=-5V 15 50 MHz hFE classifications R 60-120 O 100-200 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA1195 Fig.2 outline dimensions 3
2SA1195
物料型号: - 型号为2SA1195。

器件简介: - 2SA1195是一款硅PNP功率晶体管,具有TO-202封装,高功率耗散,是2SC2483型号的补充。

引脚分配: - 引脚1:基极(Base) - 引脚2:集电极(Collector) - 引脚3:发射极(Emitter)

参数特性: - 集电-基极电压(VCBO):-160V,开路发射极。 - 集电-发射极电压(VCEO):-160V,开路基极。 - 发射-基极电压(VEBO):-6V,开路集电极。 - 集电极电流(Ic):-1.5A。 - 基极电流(Ib):-0.5A。 - 集电极功率耗散(Pc):2W,环境温度Ta=25°C时;15W,结温Tc=25°C时。 - 结温(T):175°C。 - 存储温度(Tstg):-55°C至150°C。

功能详解: - 该晶体管的主要特性包括集电-发射击穿电压(V(BR)CEO)、集电-发射饱和电压(VcEsat)、基极-发射极导通电压(VBE)、直流电流增益(hFE-1和hFE-2)、集电极截止电流(ICBO)、发射极截止电流(IEBO)、输出电容(CoB)和转换频率(fT)。

应用信息: - 2SA1195适用于高电压和一般用途的放大。

封装信息: - 该晶体管采用TO-202封装,具体尺寸见图2。
2SA1195 价格&库存

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