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2SA1306A

2SA1306A

  • 厂商:

    JMNIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SA1306A - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SA1306A 数据手册
Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors 2SA1306 2SA1306A 2SA1306B DESCRIPTION ・With TO-220Fa package ・Complement to type 2SC3298,2SC3298A,2SC3298B APPLICATIONS ・Power amplifier applications ・Driver stage amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector Base ・ Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2SA1306 VCBO Collector-base voltage 2SA1306A 2SA1306B 2SA1306 VCEO Collector-emitter voltage 2SA1306A 2SA1306B VEBO IC IB PC Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE -160 -180 -200 -160 -180 -200 -5 -1.5 -0.15 20 150 -55~150 V A A W ℃ ℃ V V UNIT JMnic Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2SA1306 V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage 2SA1306A 2SA1306B VCEsat VBE ICBO IEBO hFE Cob fT Collector-emitter saturation voltage Base-emitter voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Output capacitance Transition frequency 2SA1306 2SA1306A 2SA1306B CONDITIONS MIN -160 TYP. MAX UNIT IC=10mA , IB=0 -180 -200 V IC=-0.5A, IB=-50mA IC=-0.5A ,VCE=-5V VCB=-160V, IE=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-0.1A ; VCE=-5V IE=0 ; VCB=-10V,f=1MHz IC=-0.1A ; VCE=-10V 70 30 100 -1.5 -1.0 -1.0 -1.0 240 V V μA μA pF MHz hFE Classifications O 70-140 Y 120-240 JMnic Product Specification www.jmnic.com Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA1306 2SA1306A 2SA1306B Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.15 mm) JMnic
2SA1306A
1. 物料型号: - 型号包括2SA1306、2SA1306A和2SA1306B。

2. 器件简介: - 这些是硅PNP功率晶体管,采用TO-220Fa封装,是2SC3298、2SC3298A和2SC3298B的补充型号。

3. 引脚分配: - 引脚1:发射极(Emitter) - 引脚2:集电极(Collector) - 引脚3:基极(Base)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值(Ta=25°C): - VcBO(集电-基极电压):2SA1306为-160V,2SA1306A为-180V,2SA1306B为-200V。 - VCEO(集电-发射极电压):开路基极时,2SA1306为-160V,2SA1306A为-180V,2SA1306B为-200V。 - VEBO(发射-基极电压):开路集电极时,为-5V。 - Ic(集电极电流):-1.5A。 - Ib(基极电流):-0.15A。 - Pc(集电极功耗):在Tc=25°C时为20W。 - Tj(结温):最高150°C。 - Tstg(存储温度):-55~150°C。

5. 功能详解: - 特性(Tj=25℃,除非另有说明): - V(BR)CEO(集电-发射极击穿电压):2SA1306为-160V,2SA1306A为-180V,2SA1306B为-200V。 - VCEsat(集电-发射极饱和电压):在Ic=-0.5A,Ib=-50mA时,最大为-1.5V。 - VBE(基极-发射极电压):在Ic=-0.5A,VCE=-5V时,最大为-1.0V。 - IcBO(集电极截止电流):在VcB=-160V,Ib=0时,最大为-1.0μA。 - IEBO(发射极截止电流):在VEB=-5V,Ic=0时,最大为-1.0A。 - hFE(直流电流增益):在Ic=-0.1A,VCE=-5V时,最小为70,典型值为140,最大为240。 - Cob(输出电容):在Ic=0,VcB=-10V,f=1MHz时,最大为30pF。 - fT(转换频率):在Ic=-0.1A,VCE=-10V时,最大为100MHz。

6. 应用信息: - 适用于功率放大应用和驱动级放大应用。

7. 封装信息: - 封装图为TO-220Fa,具体尺寸如图2所示,未标注的公差为±0.15mm。
2SA1306A 价格&库存

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