2SA1329

厂商：
JMNIC
封装：
描述：
2SA1329 - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

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JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1329 DESCRIPTION ・With TO-220 package ・Complement to type 2SC3346 ・Low collector saturation voltage ・High speed switching time APPLICATIONS ・High current switching applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -80 -80 -6 -12 -2 40 150 -55~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 Cob fT PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Output capacitance Transition frequency CONDITIONS IC=-50mA ,IB=0 IC=-6A; IB=-0.3A IC=-6A; IB=-0.3A VCB=-80V; IE=0 VEB=-6V; IC=0 IC=-1A ; VCE=-1V IC=-6A ; VCE=-1V IE=0 ; VCB=-10V;f=1MHz IC=-1A ; VCE=-5V 70 40 400 50 MIN -80 2SA1329 TYP. MAX UNIT V -0.2 -0.9 -0.4 -1.2 -10 -10 240 V V μA μA pF MHz Switching times ton ts tf Turn-on time Storage time Fall time IB1=- IB2=-0.3A RL=5Ω;VCC=-30V 0.3 1.0 0.5 μs μs μs hFE-1 Classifications O 70-140 Y 120-240 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA1329 Fig.2 Outline dimensions(unindicated tolerance:±0.10 mm) 3 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1329 4

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2SA1329

1. 物料型号：2SA1329，是一款硅PNP功率晶体管。

2. 器件简介： - 与2SC3346型号相补； - 具有低集电极饱和电压和高速开关时间。

3. 引脚分配： - 1号引脚：发射极（Emitter）； - 2号引脚：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base）； - 3号引脚：基极（Base）。

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：-80V； - 集电极-发射极电压（VCEO）：-80V； - 发射极-基极电压（VEBO）：-6V； - 集电极电流（Ic）：-12A； - 基极电流（Ib）：-2A； - 集电极功耗（Pc）：40W； - 结温（Tj）：150°C； - 存储温度（Tstg）：-55~150°C。

5. 功能详解： - 工作在25°C下，除非另有说明； - 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：-80V； - 集电极-发射极饱和电压（VCEsat）：-0.2~-0.4V； - 基极-发射极饱和电压（VBEsat）：-0.9~-1.2V； - 集电极截止电流（ICBO）：-10μA； - 发射极截止电流（IEBO）：-10μA； - 直流电流增益（hFE）：在IC=-1A时为70~240，在IC=-6A时为40； - 输出电容（Cob）：400pF； - 过渡频率（fT）：50MHz； - 开关时间：包括0.3μs的开通时间、1.0μs的存储时间和0.5μs的下降时间。

6. 应用信息： - 适用于高电流开关应用。

7. 封装信息： - 采用TO-220封装，具体尺寸见图2。

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