2SA1491

厂商：
JMNIC
封装：
描述：
2SA1491 - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

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JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1491 DESCRIPTION ・With TO-3PN package ・Complement to type 2SC3855 APPLICATIONS ・Audio and general purpose PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -140 -140 -6 -10 -4 100 150 -55~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1491 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-50mA ;IB=0 -140 V VCEsat ICBO Collector-emitter saturation voltage IC=-5A; IB=-0.5A VCB=-140V; IE=0 -2.0 V μA μA Collector cut-off current -100 IEBO Emitter cut-off current VEB=-6V; IC=0 -100 hFE DC current gain IC=-3A ; VCE=-4V 50 fT Transition frequency IC=0.5A ; VCE=-12V 20 MHz Switching times μs μs μs ton ts Turn-on time IC=-5A;RL=12Ω IB1=- IB2=-0.5A VCC=60V 0.30 Storage time 0.90 tf Fall time 0.20 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1491 PACKAGE OUTLINE Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1491 4

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2SA1491

1. 物料型号： - 型号：2SA1491

2. 器件简介： - 该器件为JMnic Silicon PNP功率晶体管，与2SC3855型号的晶体管为互补型号，采用TO-3PN封装，适用于音频和通用领域。

3. 引脚分配： - 引脚1：基极（Base） - 引脚2：集电极，连接到安装底（Collector;connected to mounting base） - 引脚3：发射极（Emitter）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - 集电极-基极电压（VCBO）：-140V - 集电极-发射极电压（VCEO）：-140V - 发射极-基极电压（VEBO）：-6V - 集电极电流（Ic）：-10A - 基极电流（IB）：-4A - 集电极功耗（Pc）：100W（在Tc=25°C时） - 结温（TJ）：150°C - 存储温度（Tstg）：-55~150°C

5. 功能详解： - 特性表中列出了在Tj=25℃时的参数，包括： - 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：-140V - 集电极-发射极饱和电压（VcEsat）：-2.0V - 集电极截止电流（IcBO）：-100uA - 发射极截止电流（IEBO）：-100uA - DC电流增益（hFE）：50 - 过渡频率（fr）：20MHz - 开启时间（ton）：0.30us - 存储时间（ts）：0.90us - 下降时间（t）：0.20us

6. 应用信息： - 适用于音频和通用领域。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-3PN，具体尺寸和公差见图2，未标注的公差为±0.1mm。

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