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2SA1651

2SA1651

  • 厂商:

    JMNIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SA1651 - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SA1651 数据手册
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1651 DESCRIPTION ・With TO-220Fa package ・Fast switching speed ・Low collector saturation voltage APPLICATIONS ・For use in switching power supplies,DC-DC converters,motor drivers,solenoid drivers, and other low-voltage power supply devices, as well as for high current switching PINNING PIN 1 2 3 Emitter Collector;connected to mounting base Base DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM IB PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current Ta=25℃ PT Total power dissipation TC=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 25 150 -55~150 ℃ ℃ PW≤300μs, duty cycle≤10% CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -150 -100 -7 -7 -14 -3.5 1.5 W UNIT V V V A A A JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEsat-1 VCEsat -2 VBE sat -1 VBE sat -2 ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 hFE-3 fT COB PARAMETER Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain DC current gain Transition frequency Collector capacitance CONDITIONS IC=-4A; IB=-0.2A IC=-6A; IB=-0.3A IC=-4A; IB=-0.2A IC=-6A; IB=-0.3A VCB=-100V; IE=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-0.5A ; VCE=-2V IC=-1.5A ; VCE=-2V IC=-4A ; VCE=-2V IC=-1.5A ; VCE=-10V IE=-0 ; VCB=-10V;f=1MHz 100 100 60 150 150 MIN TYP. 2SA1651 MAX -0.3 -0.5 -1.2 -1.5 -10 -10 UNIT V V V V μA μA 400 MHz pF Switching times ton ts tf Turn-on time Storage time Fall time IC=-4A; IB1=-IB2=-0.2A RL=12.5Ω; VCC=-50V 0.3 1.5 0.4 μs μs μs hFE-2 Classifications M 100-200 L 150-300 K 200-400 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA1651 Fig.2 Outline dimensions(unindicated tolerance:±0.15 mm) 3
2SA1651
物料型号: - 型号为2SA1651。

器件简介: - 2SA1651是一款硅PNP功率晶体管,采用TO-220Fa封装,具有快速开关速度和低集电极饱和电压。

引脚分配: - 1号引脚:发射极(Emitter) - 2号引脚:集电极,连接到安装底座(Collector;connected to mounting base) - 3号引脚:基极(Base)

参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):-150V,开发射极 - 集电极-发射极电压(VCEO):-100V,开基极 - 发射极-基极电压(VEBO):-7V,开集电极 - 集电极电流(Ic):-7A - 集电极峰值电流(ICM):-14A,脉冲宽度≤300s,占空比≤10% - 基极电流(Ib):-3.5A - 总功率耗散(Pt):1.5W,环境温度Ta=25°C - 结温(Tj):150°C - 存储温度(Tstg):-55~150°C

功能详解: - 该晶体管的饱和电压(VCEsat)在不同集电极电流下有不同的典型值,分别为-0.3V(Ic=-4A)和-0.5V(Ic=-6A)。 - 基极-发射极饱和电压(VBEsat)在不同集电极电流下分别为-1.2V和-1.5V。 - 集电极截止电流(ICBO)和发射极截止电流(IEBO)均为-10uA。 - 直流电流增益(hFE)在不同集电极电流下有不同的典型值,分别为100(Ic=-0.5A),200(Ic=-1.5A),和60(Ic=-4A)。 - 过渡频率(fT)为150MHz。 - 集电极电容(CoB)为150pF。

应用信息: - 2SA1651适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器、电磁阀驱动器以及其他低压功率供应设备,也适用于高电流开关。

封装信息: - 封装形式为TO-220Fa,PDF中附有简化外形图和符号,以及外形尺寸图(未标明的公差:±0.15mm)。
2SA1651 价格&库存

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