2SA1659

2SA1659

  • 厂商:

    JMNIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SA1659 - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

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2SA1659 数据手册
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1659 2SA1659A DESCRIPTION ・With TO-220F package ・Complement to type 2SC4370/4370A ・High transition frequency fT APPLICATIONS ・High voltage applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2SA1659 VCBO Collector-base voltage 2SA1659A 2SA1659 VCEO Collector-emitter voltage 2SA1659A VEBO IC IB PC Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Base current Collector dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base -180 -5 -1.5 -0.15 20 150 -55~150 V A A W ℃ ℃ Open emitter -180 -160 V CONDITIONS VALUE -160 V UNIT JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2SA1659 V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage 2SA1659A VCEsat VBE ICBO IEBO hFE fT COB Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency Output capacitance IC=-0.5A;IB=-50mA IC=-0.5A ; VCE=-5V VCB=-160V;IE=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-0.1A ; VCE=-5V IC=-0.1A ; VCE=-10V IE=0 ; VCB=-10V;f=1MHz IC=10mA ; IB=0 CONDITIONS 2SA1659 2SA1659A MIN -160 TYP. MAX UNIT V -180 -1.5 -1.0 -1 -1 70 100 30 240 MHz pF V V μA μA hFE classifications O 70-140 Y 120-240 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA1659 2SA1659A Fig.2 Outline dimensions 3
2SA1659
物料型号: - 型号为2SA1659和2SA1659A。

器件简介: - 2SA1659和2SA1659A是硅PNP功率晶体管,采用TO-220F封装,是2SC4370/4370A的互补型号,具有高转换频率fT,适用于高电压应用。

引脚分配: - 引脚1:基极(Base) - 引脚2:集电极(Collector) - 引脚3:发射极(Emitter)

参数特性: - 绝对最大额定值:结温(Tj)在25°C时,集电极最大电流(Ic)为150A,集电极-发射极电压(VCEO)为2165V,基极-发射极电压(VBEO)为5V。 - 电性参数: - 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO):2SA1659和2SA1659A在Ic=10mA; Ib=0条件下未给出具体数值。 - 集电极-发射极饱和电压(VcEsat):在Ic=-0.5A; Ib=-50mA条件下,最小值为-1.5V。 - 基极-发射极导通电压(VBE):在Ic=-0.5A; VcE=-5V条件下,最小值为-1.0V。 - 集电极截止电流(ICBO):在VcB=-160V; Ie=0条件下,最大值为-1A。 - 发射极截止电流(IEBO):在VEB=-5V; Ic=0条件下,最大值为-1A。 - 直流电流增益(hFE):在Ic=-0.1A; VcE=-5V条件下,最小值为70,最大值为240。 - 转换频率(fr):在Ic=-0.1A; VcE=-10V条件下,最小值为100MHz。 - 输出电容(COB):在Ic=0; VB=-10V; f=1MHz条件下,最大值为30pF。

功能详解: - 该晶体管主要用于高电压应用,具有较高的转换频率和直流电流增益,适用于需要高电压和高增益的电路设计。

应用信息: - 适用于高电压应用。

封装信息: - 采用TO-220F封装,具体尺寸见图2。
2SA1659 价格&库存

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