2SA490

厂商：
JMNIC
封装：
描述：
2SA490 - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

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JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA490 DESCRIPTION ・With TO-220 package ・Complement to type 2SC790 APPLICATIONS ・For power amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IE PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Emitter current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -50 -40 -5 -3 3 25 150 -55~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. 2SA490 MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-50mA ,IB=0 -40 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=-10mA; IC=0 -5 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-2A; IB=-0.2A -0.45 -1.2 V VBE Base-emitter voltage IC=-2A ; VCE=-2V -0.85 -1.8 V μA μA ICBO Collector cut-off current VCB=-30V; IE=0 -10 IEBO Emitter cut-off current VEB=-5V; IC=0 -100 hFE-1 DC current gain IC=-0.5A ; VCE=-2V 40 240 hFE-2 DC current gain IC=-2A ; VCE=-2V 13 50 COB Collector output capacitance IE=0 ; VCB=-10V;f=1MHz 150 pF fT Transition frequency IC=-0.5A ; VCE=-2V 3 MHz hFE-1 Classifications R 40-80 O 70-140 Y 120-240 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA490 Fig.2 Outline dimensions(unindicated tolerance:±0.10 mm) 3

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2SA490

1. 物料型号：2SA490，是JMnic Silicon生产的PNP功率晶体管。

2. 器件简介：该晶体管与TO-220封装的2SC790型号相匹配，适用于功率放大应用。

3. 引脚分配： - 引脚1：发射极（Emitter） - 引脚2：集电极，连接到安装底座（Collector;connected to mounting base） - 引脚3：基极（Base）

4. 参数特性： - 集-基电压（VCBO）：-50V，开路发射极 - 集-射电压（VCEO）：-40V，开路基极 - 发-基电压（VEBO）：-5V，开路集电极 - 集电极电流（Ic）：-3A - 发射极电流（IE）：3A - 集电极功耗（Pc）：25W，Tc=25°C - 结温（Tj）：150°C - 存储温度（Tstg）：-55~150°C

5. 功能详解： - 集-射击穿电压（V(BR)CEO）：-40V，Ic=-50mA, IB=0 - 发-基击穿电压（V(BR)EBO）：-5V，IE=-10mA; Ic=0 - 集-射饱和电压（VcEsat）：-0.45~-1.2V，Ic=-2A; IB=-0.2A - 基-发射电压（VBE）：-0.85~-1.8V，Ic=-2A; VcE=-2V - 集电极截止电流（ICBO）：-10A，VcB=-30V; IE=0 - 发射极截止电流（IEBO）：-100A，VEB=-5V; Ic=0 - 直流电流增益（hFE-1）：40~240，Ic=-0.5A; VcE=-2V - 直流电流增益（hFE-2）：13~50，Ic=-2A; VcE=-2V - 集电极输出电容（CoB）：150pF，le=0; VcB=-10V; f=1MHz - 转换频率（fr）：3MHz，Ic=-0.5A; VcE=-2V

6. 应用信息：适用于功率放大应用。

7. 封装信息：TO-220封装，具体尺寸见图2，未标注的公差为±0.10mm。

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