2SA636A

厂商：
JMNIC
封装：
描述：
2SA636A - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

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JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA636 2SA636A DESCRIPTION ・With TO-202 package ・Complement to type 2SC1098/1098A ・High breakdown voltage ・High transition frequency APPLICATIONS ・For audio frequency power amplifier and low speed switching applications PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-202) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL VCBO PARAMETER Collector-base voltage 2SA636 VCEO Collector-emitter voltage 2SA636A VEBO IC ICM IB Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Base current TC=25℃ PT Total power dissipation Ta=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 1.2 150 -55~150 ℃ ℃ Open collector Open base -60 -5 -3 -5 -0.6 10 W V A A A CONDITIONS Open emitter VALUE -70 -45 V UNIT V JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS 2SA636 2SA636A MIN TYP. MAX UNIT VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-1.5A ;IB=-0.15A -0.5 -2.0 V VBEsat ICBO Base-emitter saturation voltage IC=-1.5A ;IB=-0.15A VCB=-45V; IE=0 -0.8 -2.0 V μA μA Collector cut-off current -1 IEBO Emitter cut-off current VEB=-3V; IC=0 -1 hFE-1 DC current gain IC=-20mA ; VCE=-5V 20 hFE-2 DC current gain IC=-0.5A ; VCE=-5V 40 250 COB Output capacitance IE=0; VCB=-10V;f=1MHz 60 pF fT Transition frequency IC=-0.1A ; VCB=-5V 45 MHz hFE-2 classifications N 40-60 M 50-100 L 80-160 K 120-250 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA636 2SA636A Fig.2 outline dimensions 3

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2SA636A

物料型号： - 型号为2SA636和2SA636A。

器件简介： - 这些是硅PNP功率晶体管，与2SC1098/1098A型号的TO-202封装相匹配，具有高击穿电压和高转换频率。

引脚分配： - 引脚1：基极（Base） - 引脚2：集电极（Collector） - 引脚3：发射极（Emitter）

参数特性： - 集-基电压（VCBO）：-70V，开路发射极 - 集-射电压（VCEO）：2SA636为-45V，2SA636A为-60V，开路基极 - 发-基电压（VEBO）：-5V，开路集电极 - 集电极电流（Ic）：-3A - 集电极峰值电流（ICM）：-5A - 基极电流（IB）：-0.6A - 总功耗（PT）：在Tc=25°C时为10W，Ta=25°C时为1.2W - 结温（Tj）：150°C - 存储温度（Tstg）：-55至150°C

功能详解： - 饱和电压（VcEsat）：在Ic=-1.5A和Ib=-0.15A时，最小值-0.5V，典型值-2.0V - 基-射饱和电压（VBEsat）：在Ic=-1.5A和Ib=-0.15A时，最小值-0.8V，典型值-2.0V - 集电极截止电流（IcBO）：在VcB=-45V和Ie=0时，小于-1A - 发射极截止电流（IEBO）：在Veb=-3V和Ic=0时，小于-1A - 直流电流增益（hFE-1）：在Ic=-20mA和Vce=-5V时，最小值20，无最大值 - 直流电流增益（hFE-2）：在Ic=-0.5A和Vce=-5V时，最小值40，最大值250 - 输出电容（CoB）：在Ic=0和Vcb=-10V和f=1MHz时，最小值60pF，无最大值 - 转换频率（fr）：在Ic=-0.1A和Vcb=-5V时，最小值45MHz，无最大值

应用信息： - 适用于音频频率功率放大器和低速开关应用。

封装信息： - 封装类型为TO-202，具体尺寸见图2。

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