2SA794

厂商：
JMNIC
封装：
描述：
2SA794 - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

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JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA794 2SA794A DESCRIPTION ・With TO-126 package ・Complement to type 2SC1567/1567A ・High collector-emitter voltage VCEO APPLICATIONS ・For low frequency output driver ・Optimum for the driver stage of low frequency and 40W to 100W output amplifier PINNING PIN 1 2 3 Emitter Collector;connected to mounting base Base DESCRIPTION ・ Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2SA794 VCBO Collector-base voltage 2SA794A 2SA794 VCEO Collector- emitter voltage 2SA794A VEBO IC ICM PC Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base -120 -5 -0.5 -1 1.2* 150 -55~+150 V A A W ℃ ℃ Open emitter -120 -100 V CONDITIONS VALUE -100 V UNIT *Without heat sink JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2SA794 V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage 2SA794A V(BR)EBO VCEsat VBEsat hFE-1 hFE-2 COB fT Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage DC current gain DC current gain Collector output capacitance Transition frequency IE=-1μA ;IC=0 IC=-500mA ;IB=-50mA IC=-500mA ;IB=-50mA IC=-150mA ; VCE=-10V IC=-500mA ; VCE=-5V IE=0 ; VCB=-10V;f=1MHz VCB=-10V;IE=50mA;f=200MHz IC=-100μA ;IB=0 CONDITIONS 2SA794 2SA794A MIN -100 TYP. MAX UNIT V -120 -5 -0.2 -0.85 90 50 20 120 pF MHz -0.4 -1.2 220 V V V hFE-1 Classifications Q 90-155 R 130-220 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA794 2SA794A Fig.2 Outline dimensions 3

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2SA794

物料型号： - 型号：2SA794、2SA794A

器件简介： - 2SA794和2SA794A是硅PNP功率晶体管，TO-126封装，是2SC1567/1567A的对应型号，具有较高的集电极-发射极电压$V_{CEO}$。

引脚分配： - PIN 1：发射极（Emitter） - PIN 2：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base） - PIN 3：基极（Base）

参数特性： - 绝对最大额定值：在$Ta=25^{\circ}C$时 - $V_{CBO}$：集电极-基极电压，2SA794为-100V，2SA794A为-120V - $V_{CEO}$：集电极-发射极电压，2SA794为-100V，2SA794A为-120V - $V_{EBO}$：发射极-基极电压，为-5V - $I_c$：集电极电流，为-0.5A - $I_{CM}$：集电极峰值电流，为-1A - $P_c$：集电极功率耗散，$Tc=25°C$时为1.2W（无散热器） - $T_j$：结温，为150°C - $T_{stg}$：存储温度，为-55~+150°C

功能详解： - 特性：在$Tj=25°C$，除非另有说明 - $V(BR)CEO$：集电极-发射极击穿电压，2SA794为-100V，2SA794A为-120V - $V(BR)EBO$：发射极-基极击穿电压，为-5V - $V_{CEsat}$：集电极-发射极饱和电压，$Ic=-500mA$；$Ib=-50mA$时，范围在-0.2V到-0.4V之间 - $V_{BEsat}$：基极-发射极饱和电压，$Ic=-500mA$；$Ib=-50mA$时，范围在-0.85V到-1.2V之间 - $h_{FE-1}$：直流电流增益，$Ic=-150mA$; $V_{CE}=-10V$时，范围在90到220之间 - $h_{FE-2}$：直流电流增益，$Ic=-500mA$; $V_{CE}=-5V$时，范围未给出 - $C_{OB}$：集电极输出电容，$Ic=0$; $V_{CB}=-10V$; $f=1MHz$时，为20pF - $f_r$：过渡频率，$V_{CB}=-10V$; $Ic=50mA$; $f=200MHz$时，为120MHz

应用信息： - 适用于低频输出驱动，适合40W到100W低频输出放大器的驱动级。

封装信息： - 图2显示了TO-126封装的外形尺寸。

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