2SA794A

厂商：
JMNIC
封装：
描述：
2SA794A - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

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JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA794 2SA794A DESCRIPTION ・With TO-126 package ・Complement to type 2SC1567/1567A ・High collector-emitter voltage VCEO APPLICATIONS ・For low frequency output driver ・Optimum for the driver stage of low frequency and 40W to 100W output amplifier PINNING PIN 1 2 3 Emitter Collector;connected to mounting base Base DESCRIPTION ・ Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2SA794 VCBO Collector-base voltage 2SA794A 2SA794 VCEO Collector- emitter voltage 2SA794A VEBO IC ICM PC Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base -120 -5 -0.5 -1 1.2* 150 -55~+150 V A A W ℃ ℃ Open emitter -120 -100 V CONDITIONS VALUE -100 V UNIT *Without heat sink JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2SA794 V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage 2SA794A V(BR)EBO VCEsat VBEsat hFE-1 hFE-2 COB fT Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage DC current gain DC current gain Collector output capacitance Transition frequency IE=-1μA ;IC=0 IC=-500mA ;IB=-50mA IC=-500mA ;IB=-50mA IC=-150mA ; VCE=-10V IC=-500mA ; VCE=-5V IE=0 ; VCB=-10V;f=1MHz VCB=-10V;IE=50mA;f=200MHz IC=-100μA ;IB=0 CONDITIONS 2SA794 2SA794A MIN -100 TYP. MAX UNIT V -120 -5 -0.2 -0.85 90 50 20 120 pF MHz -0.4 -1.2 220 V V V hFE-1 Classifications Q 90-155 R 130-220 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA794 2SA794A Fig.2 Outline dimensions 3

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2SA794A

1. 物料型号： - 型号为2SA794和2SA794A，是硅PNP功率晶体管。

2. 器件简介： - 该晶体管与2SC1567/1567A型号相匹配，采用TO-126封装，具有较高的集电极-发射极电压$VCEO$。

3. 引脚分配： - PIN 1: 发射极（Emitter） - PIN 2: 集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base） - PIN 3: 基极（Base）

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - $VCBO$（集电极-基极电压）：2SA794为-100V，2SA794A为-120V - $VCEO$（集电极-发射极电压）：2SA794为-100V，2SA794A为-120V - $VEBO$（发射极-基极电压）：-5V - $Ic$（集电极电流）：-0.5A - $ICM$（集电极峰值电流）：-1A - $Pc$（集电极功率耗散）：1.2W（无散热器） - $Tj$（结温）：150°C - $Tstg$（储存温度）：-55°C至+150°C

5. 功能详解： - 特性表（在$Tj=25℃$时，除非另有说明）： - $V(BR)CEO$（集电极-发射极击穿电压）：2SA794为-100V，2SA794A为-120V - $V(BR)EBO$（发射极-基极击穿电压）：-5V - $VcEsat$（集电极-发射极饱和电压）：在$Ic=-500mA$和$Ib=-50mA$时，范围为-0.2V至-0.4V - $VBEsat$（基极-发射极饱和电压）：在$Ic=-500mA$和$Ib=-50mA$时，范围为-0.85V至-1.2V - $hFE-1$（直流电流增益）：在$Ic=-150mA$和$VcE=-10V$时，范围为90至220 - $hFE-2$（直流电流增益）：在$Ic=-500mA$和$VcE=-5V$时，范围为50（无具体最大值） - $COB$（集电极输出电容）：在$Ic=0$、$VcB=-10V$和$f=1MHz$时，为20pF - $fr$（过渡频率）：在$VcB=-10V$、$Ic=50mA$和$f=200MHz$时，为120MHz

6. 应用信息： - 适用于低频输出驱动，特别适用于低频和40W至100W输出放大器的驱动级。

7. 封装信息： - 封装为TO-126型。

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