2SA837

厂商：
JMNIC
封装：
描述：
2SA837 - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

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2SA837 数据手册

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA837 DESCRIPTION ・With TO-3 package ・Wide area of safe operation ・Complement to type 2SC1667 APPLICATIONS ・For radio frequency and power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Collector DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=75℃ Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE -90 -90 -5 -4 50 150 -55~150 UNIT V V V A W ℃ ℃ JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO VCEsat ICBO IEBO hFE COB fT PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-base breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Collector output capacitance Transition frequency CONDITIONS IC=-25mA; IB=0 IC=-1mA; IE=0 IE=-1mA ; IC=0 IC=-3A; IB=-0.3A VCB=-90V; IE=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-1A ; VCE=-4V IE=0; VCB=-10V;f=1MHz IC=-1A ; VCE=-10V 40 200 10 MIN -90 -90 -5 TYP. 2SA837 MAX UNIT V V V -1.5 -0.1 -0.1 200 V mA mA pF MHz 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA837 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.1mm) 3

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2SA837

1. 物料型号：2SA837

2. 器件简介： - 2SA837是一款硅PNP功率晶体管，具有TO-3封装，拥有广泛的安全操作区域，是2SC1667型号的补充。

3. 引脚分配： - 1号引脚：基极（Base） - 2号引脚：发射极（Emitter） - 3号引脚：集电极（Collector）

4. 参数特性： - 集-基电压（VCBO）：-90V，开发射极 - 集-发电压（VCEO）：-90V，开基极 - 发-基电压（VEBO）：-5V，开集电极 - 集电极电流（Ic）：-4A - 集电极功耗（Pc）：50W，结温Tc=75°C - 结温（T）：150°C - 存储温度（Tstg）：-55~150°C

5. 功能详解： - 击穿电压（V(BR)CEO）：-90V，集-发击穿电压，IC=-25mA，IB=0 - 击穿电压（V(BR)CBO）：-90V，集-基击穿电压，IC=-1mA，IE=0 - 击穿电压（V(BR)EBO）：-5V，发-基击穿电压，IE=-1mA，IC=0 - 饱和电压（VCEsat）：-1.5V，集-发饱和电压，IC=-3A，IB=-0.3A - 集截止电流（ICBO）：-0.1mA，集-基截止电流，VCB=-90V，IE=0 - 发截止电流（IEBO）：-0.1mA，发-基截止电流，VEB=-5V，IC=0 - 直流电流增益（hFE）：40至200，IC=-1A，VCE=-4V - 集电极输出电容（COB）：200pF，IE=0，VCB=-10V，f=1MHz - 过渡频率（fT）：10MHz，IC=-1A，VCE=-10V

6. 应用信息： - 适用于射频和功率放大应用。

7. 封装信息： - 封装类型为TO-3，具体尺寸见图2，未标注的公差为±0.1mm。

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