0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
2SA885

2SA885

  • 厂商:

    JMNIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SA885 - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SA885 数据手册
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ・With TO-126 package ・Complement to type 2SC1846 ・Low collector-emitter saturation voltage APPLICATIONS ・For low-frequency power amplification PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base 2SA885 ・ Absolute Maximun Ratings (Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (DC) Collector current-peak CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -45 -35 -5 -1 -1.5 1.2*1 PC Collector power dissipation TC=25℃ 5* Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 2 UNIT V V V A A W 150 -55~150 ℃ ℃ Note) *1: Without heat sink *2: With a 100 × 100 × 2 mm A1 heat sink JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO V(BR)CBO VCEsat ICBO ICEO IEBO hFE-1 hFE-2 COB fT PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Collector cut-off current Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Output capacitance Transition frequency CONDITIONS IC=-2mA;IB=0 IC=-10μA ;IE=0 IC=-0.5A ;IB=-50mA VCB=-20V; IE=0 VCE=-20V; IB=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-0.5A ; VCE=-10V IC=-1A ; VCE=-5V IE=0 ; VCB=-10V;f=1MHz IC=50mA ; VCB=-10V,f=200MHz 85 50 20 200 MIN -35 -45 2SA885 TYP. MAX UNIT V V -0.5 -0.1 -100 -10 340 V μA μA μA 30 pF MHz hFE-1 Classifications Q 85-170 R 120-240 S 170-340 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA885 Fig.2 Outline dimensions 3 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA885 4 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA885 5
2SA885
物料型号: - 型号:2SA885

器件简介: - 2SA885是一款硅PNP功率晶体管,采用TO-126封装,是2SC1846的互补型号,具有低集电极-发射极饱和电压。

引脚分配: - PIN 1: 发射极(Emitter) - PIN 2: 集电极,连接到安装底座(Collector; connected to mounting base) - PIN 3: 基极(Base)

参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):-45V,开发射极 - 集电极-发射极电压(VCEO):-35V,开基极 - 发射极-基极电压(VEBO):-5V,开集电极 - 集电极电流(DC)(Ic):-1A - 集电极峰值电流(ICM):-1.5A - 集电极功耗(Pc):1.2W,Tc=25°C,无散热器;5W,Tc=25°C,有100×100×2mm A1散热器 - 结温(Tj):150°C - 存储温度(Tstg):-55~150°C

功能详解: - 2SA885的主要特性包括集电极-发射极击穿电压、集电极-基极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、集电极截止电流、发射极截止电流、基极截止电流、直流电流增益(hFE)、输出电容(CoB)和过渡频率(fT)。

应用信息: - 2SA885适用于低频功率放大。

封装信息: - 封装类型:TO-126 - 提供了TO-126的简化外形图和符号。
2SA885 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“2SA885”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货