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2SA940

2SA940

  • 厂商:

    JMNIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SA940 - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SA940 数据手册
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA940 DESCRIPTION ・With TO-220 package ・Complement to type 2SC2073 APPLICATIONS ・Power amplifier applications ・Vertical output applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (DC) Base current Ta=25℃ PC Collector power dissipation TC=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 25 150 -55~150 ℃ ℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -150 -150 -5 -1.5 -0.5 1.5 W UNIT V V V A A JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL VCEsat VBE V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO IEBO hFE COB fT PARAMETER Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Output capacitance Transition frequency CONDITIONS IC=-0.5A; IB=-50m A IC=-0.5A ; VCE=-10V IC=-1mA; IE=0 IC=-5mA; IB=0 IE=-1mA; IC=0 VCB=-120V;IE=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-0.5A ; VCE=-10V IE=0; VCB=-10V;f=1MHz IC=-0.5A ; VCE=-10V 40 55 4 -150 -150 -5 -0.75 MIN TYP. 2SA940 MAX -1.5 -0.85 UNIT V V V V V -10 -10 140 μA μA pF MHz 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA940 Fig.2 outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm) 3 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA940 4
2SA940
物料型号: - 型号为2SA940。

器件简介: - 2SA940是一款硅PNP功率晶体管,与2SC2073型号的TO-220封装相匹配。适用于功率放大器应用和垂直输出应用。

引脚分配: - 引脚1(Emitter):发射极。 - 引脚2(Collector;connected to mounting base):集电极,连接到安装底座。 - 引脚3(Base):基极。

参数特性: - 绝对最大额定值(Ta=25°C): - VCBO(Collector-base voltage):-150V - VCEO(Collector-emitter voltage):-150V - VEBO(Emitter-base voltage):-5V - lc(Collector current (DC)):-1.5A - ls(Base current):-0.5A - Pc(Collector power dissipation at Ta=25°C):1.5W - T(Junction temperature):150°C - Tstg(Storage temperature):-55~150°C

功能详解: - 特性表中列出了不同条件下的参数,包括饱和电压(VCEsat)、基极-发射极电压(VBE)、击穿电压(V(BRCBO)、V(BR)CEO、V(BR)EBO)、截止电流(ICBO、IEBO)和直流电流增益(hFE)等。

应用信息: - 适用于功率放大器和垂直输出应用。

封装信息: - 提供了TO-220C的简化外形图和符号,以及外形尺寸图。未标注的公差为±0.10mm。
2SA940 价格&库存

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2SA940
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