2SA968B

2SA968B

  • 厂商:

    JMNIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SA968B - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

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2SA968B 数据手册
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA968 2SA968A 2SA968B DESCRIPTION ・With TO-220 package ・Complement to type 2SC2238 ・High breakdown votage APPLICATIONS ・Power amplifier applications ・Driver stage amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2SA968 VCBO Collector-base voltage 2SA968A 2SA968B 2SA968 VCEO Collector-emitter voltage 2SA968A 2SA968B VEBO IC IE PT Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Emitter current Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE -160 -180 -200 -160 -180 -200 -5 -1.5 1.5 25 150 -55~150 V A A W ℃ ℃ V V UNIT JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2SA968 V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage 2SA968A 2SA968B V(BR)EBO VCEsat VBE ICBO IEBO hFE Cob fT Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Output capacitance Transition frequency IE=-1mA; IC=0 IC=-10mA; IB=0 2SA968 2SA968A 2SA968B CONDITIONS MIN -160 -180 -200 -5 TYP. MAX UNIT V V -1.5 -1.0 -1.0 -1.0 V V μA μA IC=-0.5A; IB=-50mA IC=-500mA ; VCE=-5V VCB=-160V ;IE=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-100mA ; VCE=-5V IE=0 ; VCB=-10V,f=1MHz IC=-100mA ; VCE=10V 70 30 100 240 pF MHz hFE Classifications O 70-140 Y 120-240 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SA968 2SA968A 2SA968B Fig.2 Outline dimensions(unindicated tolerance:±0.10 mm) 3
2SA968B
1. 物料型号: - 型号为2SA968、2SA968A和2SA968B,这些是硅PNP功率晶体管。

2. 器件简介: - 这些晶体管采用TO-220封装,是2SC2238型号的补充,具有高击穿电压。

3. 引脚分配: - 引脚1:发射极(Emitter) - 引脚2:集电极,连接到安装底座(Collector;connected to mounting base) - 引脚3:基极(Base)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值(在25°C下): - 集电极-基极电压(VCBO):2SA968为-160V,2SA968A为-180V,2SA968B为-200V。 - 集电极-发射极电压(VCEO):与VCBO相同。 - 发射极-基极电压(VEBO):-5V。 - 集电极电流(Ic):-1.5A。 - 发射极电流(IE):1.5A。 - 总功率耗散(PT):25W。 - 结温(T):150°C。 - 存储温度(Tstg):-55至150°C。

5. 功能详解: - 这些晶体管在25°C下的特性包括: - 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO):2SA968为-160V,2SA968A为-180V,2SA968B为-200V。 - 发射极-基极击穿电压(V(BR)EBO):-5V。 - 集电极-发射极饱和电压(VCEsat):-1.5V。 - 基极-发射极导通电压(VBE):-1.0V。 - 集电极截止电流(ICBO):-1.0A。 - 发射极截止电流(IEBO):-1.0A。 - 直流电流增益(hFE):70至240。 - 输出电容(Cab):30pF。 - 转换频率(fr):100MHz。

6. 应用信息: - 这些晶体管适用于功率放大应用和驱动级放大应用。

7. 封装信息: - 提供了TO-220封装的外形尺寸图,未标明的公差为±0.10mm。
2SA968B 价格&库存

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