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2SB1054

2SB1054

  • 厂商:

    JMNIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SB1054 - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SB1054 数据手册
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1054 DESCRIPTION ・With TO-3PFa package ・Complement to type 2SD1485 ・High transition frequency ・Wide area of safe operation APPLICATIONS ・For high power amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter DESCRIPTION ・ Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICP PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak TC=25℃ PC Collector power dissipation Ta=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 3 150 -55~150 ℃ ℃ Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE -100 -100 -5 -5 -8 60 W UNIT V V V A A JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. 2SB1054 MAX UNIT VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-3A ;IB=-0.3A -2.0 V VBE Base-emitter on voltage IC=-3A ; VCE=-5V -1.8 V μA μA ICBO Collector cut-off current VCB=-100V; IE=0 -50 IEBO Emitter cut-off current VEB=-3V; IC=0 -50 hFE-1 DC current gain IC=-20mA ; VCE=-5V 20 hFE -2 DC current gain IC=-1A ; VCE=-5V 40 200 hFE -3 DC current gain IC=-3A ; VCE=-5V 20 COB Output capacitance IE=0 ; VCB=-10V;f=1MHz 170 pF fT Transition frequency IC=-0.5A ; VCE=-5V 20 MHz hFE-2 classifications R 40-80 Q 60-120 P 100-200 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB1054 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.30mm) 3
2SB1054
1. 物料型号:2SB1054

2. 器件简介: - 2SB1054是一款硅PNP功率晶体管,采用TO-3PFa封装,是2SD1485的互补型号。 - 该晶体管具有高转换频率和广泛的安全操作区域。

3. 引脚分配: - 引脚1:基极(Base) - 引脚2:集电极(Collector) - 引脚3:发射极(Emitter)

4. 参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):-100V,开路发射极 - 集电极-发射极电压(VCEO):-100V,开路基极 - 发射极-基极电压(VEBO):-5V,开路集电极 - 集电极电流(Ic):-5A - 集电极峰值电流(IcP):-8A - 集电极功耗(Pc):60W,Tc=25°C - 结温(Tj):150°C - 存储温度(Tstg):-55~150°C

5. 功能详解: - 该晶体管在Tj=25℃下的特性参数包括: - 集电极-发射极饱和电压(VcEsat):-2.0V(Ic=-3A; Ib=-0.3A) - 基极-发射极导通电压(VBE):-1.8V(Ic=-3A; VcE=-5V) - 集电极截止电流(IcBO):-50A(VcB=-100V; Ie=0) - 发射极截止电流(IEBO):-50A(VEB=-3V; Ic=0) - 直流电流增益(hFE):在不同集电极电流下有不同的典型值,分别为20(Ic=-20mA; VcE=-5V),40(Ic=-1A; VcE=-5V),20(Ic=-3A; VcE=-5V) - 输出电容(CoB):170pF(Ie=0; VcB=-10V; f=1MHz) - 转换频率(fr):20MHz(Ic=-0.5A; VcE=-5V)

6. 应用信息: - 2SB1054适用于高功率放大器应用。

7. 封装信息: - 该晶体管采用TO-3PFa封装,具体尺寸见图2,未标注的公差为±0.30mm。
2SB1054 价格&库存

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