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2SB1155

2SB1155

  • 厂商:

    JMNIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SB1155 - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SB1155 数据手册
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1155 DESCRIPTION ・With TO-3PFa package ・Complement to type 2SD1706 ・Low collector saturation voltage ・Satisfactory linearity of hFE APPLICATIONS ・For power switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter DESCRIPTION ・ Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak TC=25℃ PC Collector power dissipation Ta=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 3 150 -55~150 ℃ ℃ Open emitter Open base Open collector CONDITIONS VALUE -130 -80 -7 -15 -25 80 W UNIT V V V A A JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO VCEsat-1 VCEsat-2 VBEsat-1 VBEsat-2 ICBO IEBO hFE-1 hFE -2 hFE -3 fT PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain DC current gain Transition frequency CONDITIONS IC=-10mA ;IB=0 IC=-7A ;IB=-0.35A IC=-15A ;IB=-1.5A IC=-7A ;IB=-0.35A IC=-15A ;IB=-1.5A VCB=-100V; IE=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-0.1A ; VCE=-2V IC=-3A ; VCE=-2V IC=-8A ; VCE=-2V IC=-0.5A ; VCE=-10V;f=10MHz 45 90 30 25 MIN -80 2SB1155 TYP. MAX UNIT V -0.5 -1.5 -1.5 -2.5 -10 -50 V V V V μA μA 260 MHz Switching times ton tstg tf Turn-on time Storage time Fall time IC=-7A ;IB1=-IB2=-0.7A VCC=-50V 0.5 1.3 0.2 μs μs μs hFE-2 classifications Q 90-180 P 130-260 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB1155 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.30mm) 3 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1155 4
2SB1155
1. 物料型号: - 型号:2SB1155

2. 器件简介: - 2SB1155是一款硅PNP功率晶体管,带有TO-3PFa封装,是2SD1706型号的互补类型。 - 特点包括低集电极饱和电压和hFE的线性度令人满意。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极(Collector) - 3号引脚:发射极(Emitter)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值(Ta=25°C): - VCBO:-130V - VCEO:-80V - VEBO:-7V - Ic:-15A(连续) - ICM:-25A(峰值) - Pc:80W(在Tc=25°C时) - Tj:150°C - Tstg:-55~150°C

5. 功能详解: - 2SB1155晶体管在Tj=25℃下的特性参数包括: - V(BR)CEO:-80V - VCEsat-1:-0.5V(Ic=-7A, B=-0.35A) - VCEsat-2:-1.5V(Ic=-15A, B=-1.5A) - VBEsat-1:-1.5V(Ic=-7A, Ia=-0.35A) - VBEsat-2:-2.5V(Ic=-15A, Ia=-1.5A) - ICBO:-10uA(VcB=-100V, Ie=0) - IEBO:-50uA(VEB=-5V, Ic=0) - hFE-1:45(Ic=-0.1A, VcE=-2V) - hFE-2:90~260(Ic=-3A, VcE=-2V) - hFE-3:30(Ic=-8A, VcE=-2V) - fr:25MHz(Ic=-0.5A, VcE=-10V, f=10MHz)

6. 应用信息: - 2SB1155适用于功率开关应用。

7. 封装信息: - 封装类型为TO-3PFa,具体尺寸见图2。
2SB1155 价格&库存

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