1. 物料型号：2SB1158，是一款硅PNP功率晶体管。
2. 器件简介：2SB1158与TO-3PFa封装类型互补，适用于2SD1713，具有高f_T和广泛的安全操作区域。
3. 引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：集电极（Collector）
- 3号引脚：发射极（Emitter）
4. 参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：-120V
- 集电极-发射极电压（VCEO）：-120V
- 发射极-基极电压（VEBO）：-5V
- 集电极电流（Ic）：-6A
- 集电极峰值电流（IcP）：-10A
- 集电极功耗（Pc）：70W（Tc=25°C时为3W）
- 结温（Tj）：150°C
- 存储温度（Tstg）：-55~150°C
5. 功能详解：
- 饱和压降（VcEsat）：-2.0V（Ic=-4A; Ib=-0.4A）
- 基极-发射极导通电压（VBE）：-1.8V（Ic=-4A; VcE=-5V）
- 集电极截止电流（IcBO）：-50A（VcB=-120V; Ie=0）
- 发射极截止电流（IEBO）：-50A（VEB=-3V; Ic=0）
- 直流电流增益（hFE）：有三档，分别为20, 60, 20（对应不同Ic和VCE条件）
- 输出电容（COB）：180pF（Ic=0; VcB=-10V; f=1MHz）
- 过渡频率（fr）：20MHz（Ic=-0.5A; VcE=-5V）
6. 应用信息：适用于高功率放大器应用。
7. 封装信息：TO-3PFa封装，具体尺寸如图2所示，未标注的公差为±0.30mm。
