2SB1187

厂商：
JMNIC
封装：
描述：
2SB1187 - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

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JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1187 DESCRIPTION ・With TO-220Fa package ・Low saturation voltage ・Complement to type 2SD1761 ・Excellent DC current gain characteristics ・Wide safe operating area APPLICATIONS ・For low frequency power amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector Base ・ Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICM PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (DC) Collector current-Peak TC=25℃ PC Collector power dissipation Ta=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 2 150 -55~150 ℃ ℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -80 -60 -5 -3 -6 30 W UNIT V V V A A JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO V(BR)CBO V(BR)EBO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE fT Cob PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-base breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency Output capacitance CONDITIONS IC=-1mA , IB=0 IC=-50μA , IE=0 IE=-50μA , IC=0 IC=-2A ;IB=-0.2A IC=-2A ;IB=-0.2A VCB=-60V ;IE=0 VEB=-4V; IC=0 IC=-0.5A ; VCE=-5V IC=-0.5A ; VCE=-5V IE=0 ; VCB=-10V ,f=1MHz 60 MIN -60 -80 -5 2SB1187 TYP. MAX UNIT V V V -1.0 -1.5 -10 -10 320 12 100 V V μA μA MHz pF 2 JMnic Product Specification Silicon Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB1187 Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.15 mm) 3

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2SB1187

1. 物料型号：2SB1187，是硅PNP功率晶体管。

2. 器件简介： - 采用TO-220Fa封装，具有低饱和电压。 - 与2SD1761型号相补。 - 具有优异的直流电流增益特性和广泛的安全工作区域。

3. 引脚分配： - 1号引脚：发射极（Emitter） - 2号引脚：集电极（Collector） - 3号引脚：基极（Base）

4. 参数特性： - 集-基电压（VCBO）：-80V，开发射极。 - 集-射电压（VCEO）：-60V，开基极。 - 发-基电压（VEBO）：-5V，开集电极。 - 集电极直流电流（Ic）：-3A。 - 集电极峰值电流（IcM）：-6A。 - 集电极功耗（Pc）：在Tc=25°C时为30W，Ta=25°C时为2W。 - 结温（Tj）：150°C。 - 存储温度（Tstg）：-55至150°C。

5. 功能详解： - 集-射击穿电压（V(BR)CEO）：-60V，Ic=-1mA，Ib=0。 - 集-基击穿电压（V(BR)CBO）：-80V，Ic=-50μA，Ie=0。 - 发-基击穿电压（V(BR)EBO）：-5V，Ie=-50μA，Ic=0。 - 饱和电压（VCEsat）：在Ic=-2A，Ib=-0.2A时小于1.0V。 - 基-发射饱和电压（VBEsat）：在Ic=-2A，Ib=-0.2A时小于1.5V。 - 集电极截止电流（ICBO）：在VcB=-60V，Ie=0时小于10μA。 - 发射极截止电流（IEBO）：在VEB=-4V，Ic=0时小于10μA。 - 直流电流增益（hFE）：在Ic=-0.5A，VcE=-5V时为60至320。 - 转换频率（fT）：在Ic=-0.5A，VcE=-5V时为12MHz。 - 输出电容（Cab）：在Ie=0，VcB=-10V，f=1MHz时为100pF。

6. 应用信息：适用于低频功率放大应用。

7. 封装信息：TO-220Fa封装，具体尺寸见图2，未标注的公差为±0.15mm。

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