物料型号：2SB1255
器件简介：
- 2SB1255是一款硅PNP达林顿功率晶体管，采用TO-3PFa封装，适用于90W的高保真输出，具有高转发电流传输比（hFE）和低集电极-发射极饱和电压。
引脚分配：
- 1号引脚：基极（Base）
- 2号引脚：集电极（Collector）
- 3号引脚：发射极（Emitter）
参数特性：
- 绝对最大额定值：
- 集电极-基极电压（VCBO）：-160V
- 集电极-发射极电压（VCEO）：-140V
- 发射极-基极电压（VEBO）：-8V
- 集电极电流（IC）：-15A
- 集电极峰值电流（ICP）：-12A
- 集电极功耗（PC）：100W（在25℃时）
- 结温（Tj）：150℃
- 存储温度（Tstg）：-55~150℃
- 电气特性（在25℃下，除非另有说明）：
- 集电极-发射极电压（VCEO）：-140V（IC=-30mA; IB=0）
- 集电极-发射极饱和电压（VCEsat）：-2.5V（IC=-7A; IB=-7mA）
- 基极-发射极饱和电压（VBEsat）：-3.0V（IC=-7A; IB=-7mA）
- 集电极截止电流（ICBO）：-100μA（VCB=-160V; IE=0）
- 集电极截止电流（ICEO）：-100μA（VCE=-140V; IB=0）
- 发射极截止电流（IEBO）：-100μA（VEB=-5V; IC=0）
- 直流电流增益（hFE-1）：2000（IC=-1A; VCE=-5V）
- 直流电流增益（hFE-2）：5000~30000（IC=-7A; VCE=-5V）
- 过渡频率（fT）：20MHz（IC=0.5A; VCE=-10V; f=1MHz）
- 存储时间（tstgt）：1.5μs（IC=-7A; VCC=-50V; IB1=IB2=-7mA）
- 下降时间（tf）：1.2μs
功能详解：
- 2SB1255晶体管主要应用于功率放大领域，其高转发电流传输比和低集电极-发射极饱和电压使其适合作为高保真输出功率放大器。
应用信息：
- 适用于功率放大。
封装信息：
- 采用TO-3PFa封装，图2显示了封装的尺寸图，未标注的公差为±0.30mm。
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