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2SB1604

2SB1604

  • 厂商:

    JMNIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SB1604 - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SB1604 数据手册
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1604 2SB1604A DESCRIPTION ・With TO-220F package ・Low collector saturation voltage ・High speed switching APPLICATIONS ・For low-voltage switching applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2SB1604 VCBO Collector-base voltage 2SB1604A 2SB1604 VCEO Collector-emitter voltage 2SB1604A VEBO IC ICM Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Ta=25℃ PC Collector dissipation TC=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 40 150 -55~150 ℃ ℃ Open collector Open base -40 -5 -10 -20 2 W V A A Open emitter -50 -20 V CONDITIONS MAX -40 V UNIT JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2SB1604 V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage 2SB1604A VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 COB fT Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Output capacitance Transition frequency IC=-10A ;IB=-0.33A IC=-10A ;IB=-0.33A VCB=-40V; IE=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-0.1A ; VCE=-2V IC=-3A ; VCE=-2V IE=0 ; VCB=-10V;f=1MHz IC=-0.5A ; VCE=-10V IC=-10mA ;IB=0 CONDITIONS 2SB1604 2SB1604A MIN -20 TYP. MAX UNIT V -40 -0.6 -1.5 -50 -50 45 90 400 100 260 pF MHz V V μA μA Switching times ton tstg tf Turn-on time Storage time Fall time IC=-3A; IB1=-IB2=-0.1A 0.1 0.5 0.1 μs μs μs hFE-2 Classifications Q 90-180 P 130-260 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB1604 2SB1604A Fig.2 Outline dimensions 3 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1604 2SB1604A 4
2SB1604
1. 物料型号: - 2SB1604 - 2SB1604A

2. 器件简介: - 这两款是硅PNP功率晶体管,具有TO-220F封装。 - 特点包括低集电极饱和电压和高速开关能力。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极(Collector) - 3号引脚:发射极(Emitter)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值: - VCBO(集电极-基极电压):2SB1604为-40V,2SB1604A为-50V。 - VCEO(集电极-发射极电压):2SB1604为-20V,2SB1604A为-40V。 - VEBO(发射极-基极电压):-5V。 - Ic(集电极电流):-10A。 - ICM(集电极峰值电流):-20A。 - Pc(集电极耗散功率):在Ta=25°C时为2W,在Tc=25°C时为40W。 - TJ(结温):150°C。 - Tstg(储存温度):-55~150°C。 - 特性参数: - V(BR)CEO(集电极-发射极击穿电压):2SB1604和2SB1604A均为-40V。 - VCEsat(集电极-发射极饱和电压):-0.6V。 - VBEsat(基极-发射极饱和电压):-1.5V。 - IcBO(集电极截止电流):-50A。 - IEBO(发射极截止电流):-50uA。 - hFE(直流电流增益):hFE-1为45,hFE-2为90-260。

5. 功能详解: - 该晶体管适用于低电压开关应用,具有高速开关能力和低集电极饱和电压,适合需要快速切换和低功耗的应用场合。

6. 应用信息: - 适用于低电压开关应用。

7. 封装信息: - TO-220F封装,具体尺寸见图2。
2SB1604 价格&库存

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