2SB1626

厂商：
JMNIC
封装：
描述：
2SB1626 - Silicon PNP Darlington Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

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JMnic Product Specification Silicon PNP Darlington Power Transistors 2SB1626 DESCRIPTION ・With TO-220F package ・Complement to type 2SD2495 APPLICATIONS ・For audio,series regulator and general purpose applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol Emitter DESCRIPTION Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current Collector dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -110 -110 -5 -6 -1 30 150 -55~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ JMnic Product Specification Silicon PNP Darlington Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE fT COB PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Transition frequency Collector output capacitance CONDITIONS IC=-50mA ;IB=0 IC=-5A; IB=-5mA IC=-5A; IB=-5mA VCB=-110V; IE=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-5A ; VCE=-4V IC=-0.5A ; VCE=-12V f=1MHz;VCB=-10V 5000 100 110 MIN -110 2SB1626 TYP. MAX UNIT V -2.5 -3.0 -0.1 -0.1 V V mA mA MHz pF Switching times ton ts tf Turn-on time Storage time Fall time IC=-5A IB1=-IB2=-5mA VCC=30V ,RL=6Ω 1.1 3.2 1.1 μs μs μs hFE Classifications O 5000-12000 p 6500-20000 Y 15000-30000 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Darlington Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB1626 Fig.2 Outline dimensions 3

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2SB1626

1. 物料型号：2SB1626，这是一个PNP达林顿功率晶体管。

2. 器件简介：2SB1626是JMnic Silicon生产的PNP达林顿功率晶体管，与2SD2495型号相匹配，采用TO-220F封装，适用于音频、系列调节器和一般用途的应用。

3. 引脚分配： - 引脚1：基极（Base） - 引脚2：集电极（Collector） - 引脚3：发射极（Emitter）

4. 参数特性： - 集-基电压（VCBO）：-110V，开路发射极 - 集-射电压（VCEO）：-110V，开路基极 - 发-基电压（VEBO）：-5V，开路集电极 - 集电极电流（Ic）：-6A - 基极电流（Ib）：-1A - 集电极耗散功率（Pc）：30W，Tc=25°C - 结温（Tj）：150°C - 存储温度（Tstg）：-55~150°C

5. 功能详解： - 集-射击穿电压（V(BR)CEO）：-110V，Ic=-50mA；Ib=0 - 集-射饱和电压（VcEsat）：-2.5V，Ic=-5A；Ib=-5mA - 发-基饱和电压（VBEsat）：-3.0V，Ic=-5A；Ib=-5mA - 集电极截止电流（ICBO）：-0.1mA，VcB=-110V；Ie=0 - 发射极截止电流（IEBO）：-0.1mA，VEB=-5V；Ic=0 - 直流电流增益（hFE）：5000，Ic=-5A；VcE=-4V - 过渡频率（fr）：100MHz，Ic=-0.5A；VcE=-12V - 集电极输出电容（CoB）：110pF，f=1MHz；VcB=-10V - 通态时间（ton）：1.1s，Ic=-5A；Ib=-5mA；Vcc=30V，RL=6Ω - 存储时间（ts）：3.2s - 下降时间（t1）：1.1s

6. 应用信息：适用于音频、系列调节器和一般用途的应用。

7. 封装信息：TO-220F封装，具体尺寸和外形见图2。

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