物料型号：
- 型号为2SB512，是硅PNP功率晶体管。
器件简介：
- 该器件采用TO-220封装，具有低集电极饱和电压，适用于低频功率放大应用。
引脚分配：
- PIN 1：发射极（Emitter）
- PIN 2：集电极，连接到安装底座（Collector;connected to mounting base）
- PIN 3：基极（Base）
参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：-60V
- 集电极-发射极电压（VCEO）：-60V
- 发射极-基极电压（VEBO）：-5V
- 集电极电流（Ic）：-3A
- 集电极功耗（Pc）：25W（在Tc=25°C时）
- 结温（Tj）：150°C
- 存储温度（Tstg）：-55~150°C
功能详解：
- 该器件在Tj=25℃时的特性参数如下：
- 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：-60V
- 集电极-基极击穿电压（V(BR)CBO）：-60V
- 发射极-基极击穿电压（V(BREBO）：-6V
- 集电极-发射极饱和电压（VcEsat）：-1.0V（在Ic=-2A;IB=-0.2A时）
- 基极-发射极饱和电压（VBEsat）：-1.5V（在Ic=-2A;IB=-0.2A时）
- 集电极截止电流（ICBO）：-1.0uA（在VcB=-40V;le=0时）
- 发射极截止电流（IEBO）：-1.0uA（在VEB=-4V;Ic=0时）
- DC电流增益（hFE）：60至320（在Ic=-0.5A;VcE=-5V时）
- 转换频率（fr）：3MHz（在Ic=-0.5A;VcE=-10V时）
应用信息：
- 适用于低频功率放大应用。
封装信息：
- 封装类型为TO-220，具体尺寸见图2，未标明的公差为±0.10mm。
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