1. 物料型号：
- 型号为2SB546。
2. 器件简介：
- 2SB546是一款硅PNP功率晶体管，采用TO-220C封装，与2SD401型号互补。其集电极电流IC为-2A，集基电压V_{CBO}为-200V。
3. 引脚分配：
- 引脚1：发射极（Emitter）
- 引脚2：集电极，连接到安装底（Collector; connected to mounting base）
- 引脚3：基极（Base）
4. 参数特性：
- 集基电压VCBO：-200V
- 集射电压VCEO：-150V
- 发基电压VEBO：-5V
- 集电极电流Ic：-2A
- 集电极功耗Pc：25W（在Tc=25°C时）
- 结温T：150°C
- 存储温度Tstg：-55~150°C
5. 功能详解：
- 该晶体管的主要特性包括集-射击穿电压、集基击穿电压、发基击穿电压、集-射饱和电压、集基截止电流、发基截止电流、直流电流增益hFE以及过渡频率fr。具体数值如下：
- 集-射击穿电压V(BR)CEO：-150V
- 集基击穿电压V(BR)CBO：-200V
- 发基击穿电压V(BR)EBO：-5V
- 集-射饱和电压VcEsat：-1.0V
- 集基截止电流ICBO：-50μA
- 发基截止电流IEBO：-50μA
- 直流电流增益hFE：40至240
- 过渡频率fr：5MHz
6. 应用信息：
- 2SB546适用于一般用途的功率放大器和垂直输出应用。
7. 封装信息：
- 封装类型为TO-220，具体尺寸见图2，未标明的公差为±0.10mm。
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