2SB548

厂商：
JMNIC
封装：
描述：
2SB548 - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

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2SB548 数据手册

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB548 DESCRIPTION ・With TO-126 package ・Complement to type 2SD414 APPLICATIONS ・Designed for use in driver and output stages of audio frequency amplifiers PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base ・ Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (DC) Ta=25℃ PD Total power dissipation TC=25℃ Tj Tstg Junction temperature Storage temperature 10 150 -55~150 ℃ ℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -100 -80 -5 -0.8 1.0 W UNIT V V V A JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL V(BR)CEO V(BR)EBO VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE COB fT PARAMETER Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Output capacitance Transition frequency CONDITIONS IC=-10mA ;IB=0 IE=-50μA ;IC=0 IC=-0.5A ;IB=-50mA IC=-0.5A ;IB=-50mA VCB=-80V; IE=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-0.2A ; VCE=-5V IE=0; VCB=-10V;f=1MHz IC=-0.1A ; VCE=-5V 40 25 70 MIN -80 -5 TYP. 2SB548 MAX UNIT V V -2.0 -1.5 -1.0 -1.0 320 V V μA μA pF MHz 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB548 Fig.2 Outline dimensions 3

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2SB548

1. 物料型号 - 型号为2SB548，与2SD414型号相补充。

2. 器件简介 - 该晶体管采用TO-126封装，设计用于音频频率放大器的驱动和输出阶段。

3. 引脚分配 - PIN 1: 发射极（Emitter） - PIN 2: 集电极，连接到安装底（Collector;connected to mounting base） - PIN 3: 基极（Base）

4. 参数特性 - 绝对最大额定值（在Ta=25°C时）： - VCBO：集电极-基极电压，开路发射极，-100V - VCEO：集电极-发射极电压，开路基极，-80V - VEBO：发射极-基极电压，开路集电极，-5V - Ic：集电极电流（DC），-0.8A - PD：总功耗，Ta=25°C时1.0W，Tc=25°C时10W - Tj：结温，150°C - Tstg：存储温度，-55~150°C

5. 功能详解 - 特性表（在Tj=25°C时，除非另有说明）： - V(BR)CEO：集电极-发射极击穿电压，Ic=-10mA;IB=0，最小值-80V - V(BR)EBO：发射极-基极击穿电压，I=-50μA;IC=0，最小值-5V - VcEsat：集电极-发射极饱和电压，Ic=-0.5A;IB=-50mA，最大值-2.0V - VBEsat：基极-发射极饱和电压，Ic=-0.5A;IB=-50mA，最大值-1.5V - ICBO：集电极截止电流，Vc=-80V;IE=0，最大值-1.0μA - IEBO：发射极截止电流，VEB=-5V;IC=0，最大值-1.0μA - hFE：直流电流增益，Ic=-0.2A;VcE=-5V，最小值40，最大值320 - CoB：输出电容，Ic=0;VcB=-10V;f=1MHz，最小值25pF - fr：转换频率，Ic=-0.1A;VcE=-5V，最小值70MHz

6. 应用信息 - 设计用于音频频率放大器的驱动和输出阶段。

7. 封装信息 - 封装类型为TO-126，具体尺寸参考文档中的图2。

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