2SB705

厂商：
JMNIC
封装：
描述：
2SB705 - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

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JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ・With MT-200 package ・Complement to type 2SD745/745A/745B APPLICATIONS ・Audio frequency power amplifier ・Suitable for output stages of 60~120W audio amplifiers and voltage regulators PINNING(see Fig.2) PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION 2SB705/705A/705B ・ Fig.1 simplified outline (MT-200) and symbol Absolute maximum ratings (Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER 2SB705 VCBO Collector-base voltage 2SB705A 2SB705B 2SB705 VCEO Collector-emitter voltage 2SB705A 2SB705B VEBO IC ICM PT Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Total power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base Open emitter CONDITIONS VALUE -140 -150 -160 -140 -150 -160 -5 -10 -15 120 150 -55~150 V A A W ℃ ℃ V V UNIT JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2SB705 V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage 2SB705A 2SB705B VCEsat VBEsat ICBO IEBO hFE-1 hFE-2 fT COB Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain Transition frequency Output capacitance IC=-5A;IB=-0.5 A IC=-5A;IB=-0.5 A VCB=-140V; IE=0 VEB=-3V; IC=0 IC=-50mA ; VCE=-5V IC=-2A ; VCE=-5V IC=-0.2A ; VCE=-5V IE=0; VCB=-10V;f=1MHz IC=-25mA; IB=0 CONDITIONS 2SB705/705A/705B MIN -140 -150 -160 TYP. MAX UNIT V -1.5 -2.0 -50 -50 20 40 17 430 200 V V μA μA MHz pF hFE-2 classifications S 40-80 R 60-120 Q 100-200 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB705/705A/705B Fig.2 Outline dimensions 3

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2SB705

1. 物料型号：2SB705/705A/705B，这是硅PNP功率晶体管的型号。

2. 器件简介：这些器件是音频频率功率放大器，适用于60~120W音频放大器的输出阶段和电压调节器，与MT-200封装的2SD745/745A/745B型号相补充。

3. 引脚分配： - 引脚1：基极（Base） - 引脚2：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base） - 引脚3：发射极（Emitter）

4. 参数特性： - 集电极-基极电压（VCBO）：2SB705为-140V，2SB705A为-150V，2SB705B为-160V。 - 集电极-发射极电压（VCEO）：2SB705为-140V，2SB705A为-150V，2SB705B为-160V。 - 发射极-基极电压（VEBO）：-5V。 - 集电极电流（Ic）：-10A。 - 集电极峰值电流（ICM）：-15A。 - 总功率耗散（PT）：在Tc=25°C时为120W。 - 结温（Tj）：150°C。 - 存储温度（Tstg）：-55~150°C。

5. 功能详解： - 2SB705系列器件在Tj=25℃的条件下的特性参数如下： - 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：2SB705为-140V，2SB705A为-150V，2SB705B为-160V。 - 集电极-发射极饱和电压（VcEsat）：在Ic=-5A，Ib=-0.5A时为-1.5V。 - 基极-发射极饱和电压（VBEsat）：在Ic=-5A，Ib=-0.5A时为-2.0V。 - 集电极截止电流（ICBO）：在VcB=-140V时为-50uA。 - 发射极截止电流（IEBO）：在VEB=-3V时为-50uA。 - 直流电流增益（hFE）：在Ic=-50mA，VcE=-5V时为20，在Ic=-2A，VcE=-5V时为40，最大可达200。 - 转换频率（fr）：在Ic=-0.2A，VcE=-5V时为17MHz。 - 输出电容（COB）：在Ic=0，VcB=-10V，f=1MHz时为430pF。

6. 应用信息：适用于音频频率功率放大器，适合作为60~120W音频放大器的输出阶段和电压调节器。

7. 封装信息：提供了MT-200封装的外形尺寸图，具体尺寸可见图2。

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