1. 物料型号：
- 型号：2SB707和2SB708，是硅PNP功率晶体管。
2. 器件简介：
- 这些晶体管采用TO-220C封装，与2SD568/569型号相补充，适用于低频功率放大和低速开关以及工业用途。
3. 引脚分配：
- 引脚1：发射极（Emitter）
- 引脚2：集电极，连接到安装底座（Collector; connected to mounting base）
- 引脚3：基极（Base）
4. 参数特性：
- 集-基电压（VCBO）：-80V（开射极）
- 集-射电压（VCEO）：2SB707为-60V，2SB708为-80V（开基极）
- 发-基电压（VEBO）：-7V（开集电极）
- 集电极电流（Ic）：-7A
- 集电极峰值电流（ICM）：-15A
- 基极电流（IB）：-3.5A
- 集电极功耗（Pc）：1.5W（Ta=25°C），40W（Tc=25°C）
- 结温（Tj）：150°C
- 存储温度（Tstg）：-55~150°C
5. 功能详解：
- 包括击穿电压（V(BR)CEO）、饱和电压（VcEsat和VBEsat）、截止电流（IcBO和IEBO）以及直流电流增益（hFE-1和hFE-2）等特性。
6. 应用信息：
- 适用于低频功率放大、低速开关和工业用途。
7. 封装信息：
- 提供了TO-220C封装的外形尺寸图，未标明的公差为±0.10mm。
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