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2SB713

2SB713

  • 厂商:

    JMNIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SB713 - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SB713 数据手册
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB713 DESCRIPTION ・With TO-3PN package ・Wide area of safe operation ・Excellent good linearity of hFE APPLICATIONS ・For high power amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Tc=25℃) SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC ICP PC Tj Tstg PARAMETER Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (DC) Collector current (Pulse) Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ CONDITIONS Open emitter Open base Open collector VALUE -200 -140 -5 -9 -15 100 150 -55~150 UNIT V V V A A W ℃ ℃ JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. 2SB713 MAX UNIT VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-7A; IB=-0.7A -2.0 V VBE Base-emitter on voltage IC=-7A;VCE=-5V -1.8 V μA μA ICBO Collector cut-off current VCB=-140V; IE=0 -50 IEBO Emitter cut-off current VEB=-3V; IC=0 -50 hFE-1 DC current gain IC=-20mA ; VCE=-5V 20 hFE-2 DC current gain IC=-1A ; VCE=-5V 40 200 hFE-3 DC current gain IC=-7A ; VCE=-5V 15 fT Transition frequency IC=-0.5A ; VCE=-5V 7 MHz COB Collector output capacitance f=1MHz;VCB=-10V 220 pF hFE-2 Classifications R 40-80 Q 60-120 P 100-200 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB713 Fig.2 outline dimensions 3
2SB713
1. 物料型号: - 型号为2SB713。

2. 器件简介: - 2SB713是一款硅PNP功率晶体管,具有TO-3PN封装,拥有广泛的安全操作区域,且具有优秀的$h_{FE}$线性特性。

3. 引脚分配: - 1号引脚:基极(Base) - 2号引脚:集电极(Collector;连接到安装底座) - 3号引脚:发射极(Emitter)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值(Tc=25°C): - VCBO:-200V - VCEO:-140V - VEBO:-5V - Ic:-9A(DC) - IcP:-15A(脉冲) - Pc:100W(Tc=25°C) - Tj:150°C - Tstg:-55~150°C(存储温度)

5. 功能详解: - 特性(Tj=25℃,除非另有说明): - VcEsat:-2.0V(在Ic=-7A;IB=-0.7A条件下) - VBE:-1.8V(在Ic=-7A;VcE=-5V条件下) - ICBO:-50uA(在VcB=-140V;Ie=0条件下) - IEBO:-50uA(在VEB=-3V;Ic=0条件下) - hFE-1:20(在Ic=-20mA;VcE=-5V条件下) - hFE-2:40~200(在Ic=-1A;VcE=-5V条件下) - hFE-3:15(在Ic=-7A;VcE=-5V条件下) - fr:7MHz(在Ic=-0.5A;VcE=-5V条件下) - COB:220pF(在f=1MHz;VcB=-10V条件下)

6. 应用信息: - 适用于高功率放大器应用。

7. 封装信息: - 封装类型为TO-3PN。
2SB713 价格&库存

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