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2SB761A

2SB761A

  • 厂商:

    JMNIC

  • 封装:

  • 描述:

    2SB761A - Silicon PNP Power Transistors - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
2SB761A 数据手册
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB761 2SB761A DESCRIPTION ・With TO-220C package ・Complement to type 2SD856/856A ・Low collector saturation voltage APPLICATIONS ・For audio frequency power amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 DESCRIPTION Emitter Collector;connected to mounting base Base ・ Absolute maximum ratings(Tc=25℃) SYMBOL PARAMETER 2SB761 VCBO Collector-base voltage 2SB761A 2SB761 VCEO Collector-emitter voltage 2SB761A VEBO IC ICM PC Tj Tstg Emitter-base voltage Collector current Collector current-peak Collectorl power dissipation Junction temperature Storage temperature TC=25℃ Open collector Open base -80 -5 -3 -5 35 150 -55~150 V A A W ℃ ℃ Open emitter -80 -60 V CONDITIONS VALUE -60 V UNIT JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER 2SB761 IC=-30mA; IB=0 2SB761A VCEsat VBE Collector-emitter saturation voltage Base-emitter on voltage 2SB761 2SB761A ICEO IEBO hFE-1 hFE-2 Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain DC current gain IC=-3 A;IB=-0.375 A IC=-3A ; VCE=-4V VCE=-60V; VBE=0 CONDITIONS 2SB761 2SB761A MIN -60 TYP. MAX UNIT VCEO Collector-emitter breakdown voltage V -80 -1.2 -1.8 V V ICES Collector cut-off current -200 VCE=-80V; VBE=0 VCE=-60V; IB=0 VEB=-5V; IC=0 IC=-1A ; VCE=-4V IC=-3A ; VCE=-4V 40 10 -300 -1 250 μA μA mA Switching times ton toff Turn-on time IC=-1A ; IB1=-IB2=-0.1 A Turn-off time 2.0 μs 0.5 μs hFE-1 classifications R 40-90 Q 70-150 P 120-250 2 JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors PACKAGE OUTLINE 2SB761 2SB761A Fig.2 Outline dimensions (unindicated tolerance:±0.10 mm) 3
2SB761A
物料型号: - 型号:2SB761、2SB761A

器件简介: - 2SB761和2SB761A是硅PNP功率晶体管,采用TO-220C封装,是2SD856/856A的补充型号,具有较低的集电极饱和电压。

引脚分配: - 1号引脚:发射极(Emitter) - 2号引脚:集电极,连接到安装底座(Collector; connected to mounting base) - 3号引脚:基极(Base)

参数特性: - 集电极-基极电压(VCBO):2SB761为-60V,2SB761A为-80V - 集电极-发射极电压(VCEO):2SB761为-60V,2SB761A为-80V - 发射极-基极电压(VEBO):-5V - 集电极电流(Ic):-3A - 集电极峰值电流(IcM):-5A - 集电极功耗(Pc):35W - 结温(Tj):150°C - 存储温度(Tstg):-55至150°C

功能详解: - 2SB761和2SB761A适用于音频频率功率放大应用。 - 具有较低的集电极-发射极饱和电压,当Ic=-3A且Ib=-0.375A时,VcEsat为-1.2V。 - 基极-发射极导通电压(VBE)在Ic=-3A且VcE=-4V时为-1.8V。 - 集电极截止电流(IcEs)在VcE=-60V且VBE=0时,2SB761为-200μA,2SB761A为-300μA。 - 发射极截止电流(IEBO)在VEB=-5V且Ic=0时为-1mA。 - hFE-1(直流电流增益)在Ic=-1A且VcE=-4V时为40至250。 - hFE-2(直流电流增益)在Ic=-3A且VcE=-4V时为10。 - 切换时间:开通时间(ton)为0.5秒,关断时间(toff)为2.0秒。

应用信息: - 适用于音频频率功率放大应用。

封装信息: - 封装类型:TO-220C - 引脚排列:如图1所示,包括简化外形图和符号。
2SB761A 价格&库存

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